Введение
Алмаз, созданный контролируемыми процессами
Алмаз, выращенный в лаборатории (LGD; также называемый лабораторно выращенным, созданным в лаборатории, искусственным, синтетическим или культивированным алмазом) — это алмаз, который производится в контролируемом технологическом процессе (в отличие от природного алмаза, формирующегося в результате геологических процессов и получаемого добычей). В отличие от имитаций алмаза (изготовленных из материалов, внешне похожих на алмаз), синтетические алмазы состоят из того же материала, что и природные алмазы — чистого углерода, кристаллизованного в изотропной трехмерной форме, — и обладают идентичными химическими и физическими свойствами. Многочисленные сообщения о синтезе алмазов поступали с 1879 по 1928 год; большинство этих попыток были тщательно проанализированы, но ни одна из них не была подтверждена. В 1940-х годах в США, Швеции и Советском Союзе начались систематические исследования по созданию алмазов, которые завершились первым воспроизводимым синтезом в 1953 году. Последующие исследования привели к открытию алмазов, полученных методом высокого давления и высокой температуры (HPHT) и CVD, названных в честь методов их производства (высокое давление и высокая температура, и химическое осаждение из газовой фазы, соответственно). Эти два процесса по-прежнему доминируют в производстве синтетических алмазов. Третий метод, при котором алмазные зерна нанометрового размера создаются при детонации углеродсодержащих взрывчатых веществ, известный как детонационный синтез, появился на рынке в конце 1990-х годов. Четвертый метод, заключающийся в обработке графита высокомощным ультразвуком, был продемонстрирован в лабораторных условиях, но по состоянию на 2008 год не имел коммерческого применения. Свойства синтетических алмазов зависят от технологии производства. Некоторые из них обладают такими характеристиками, как твердость, теплопроводность и подвижность электронов, которые превосходят свойства большинства природных алмазов. Синтетические алмазы широко используются в качестве абразивов, в режущих и полирующих инструментах, а также в радиаторах. Разрабатываются электронные применения синтетических алмазов, включая мощные переключатели для электростанций, высокочастотные полевые транзисторы и светодиоды. Синтетические алмазные детекторы ультрафиолетового (УФ) излучения или высокоэнергетических частиц используются в исследовательских центрах, работающих с высокими энергиями, и доступны в продаже. Благодаря уникальному сочетанию термической и химической стабильности, низкого теплового расширения и высокой оптической прозрачности в широком спектре, синтетический алмаз становится наиболее популярным материалом для оптических окон в мощных CO2-лазерах и гиротронах. По оценкам, 98% спроса на алмазы промышленного качества удовлетворяется за счет синтетических алмазов. Алмазы, полученные методами CVD и HPHT, могут быть огранены как драгоценные камни и представлены в различных цветах: бесцветные, желтые, коричневые, синие, зеленые и оранжевые. Появление на рынке синтетических драгоценных камней вызвало серьезную обеспокоенность в алмазной торговле, в результате чего были разработаны специальные спектроскопические приборы и методы для различения синтетических и природных алмазов.
История
На ранних стадиях синтеза алмазов основоположник современной химии Антуан Лавуазье сыграл значительную роль. Его новаторское открытие о том, что кристаллическая решетка алмаза схожа с кристаллической структурой углерода, проложило путь к первым попыткам создания алмазов. После того как в 1797 году было установлено, что алмаз состоит из чистого углерода, было предпринято множество попыток преобразовать различные дешевые формы углерода в алмаз. Первые успехи были зафиксированы Джеймсом Баллантайном Ханнеем в 1879 году и Фердинандом Фредериком Анри Мойссаном в 1893 году. Их метод заключался в нагревании древесного угля в печи до температуры до с железом внутри углеродного тигля. В то время как Ханней использовал трубку, нагреваемую пламенем, Мойсан применил свою недавно разработанную электрическую дуговую печь, в которой электрическая дуга возникала между угольными стержнями внутри блоков извести. Затем расплавленное железо быстро охлаждалось погружением в воду. Сжатие, возникающее при охлаждении, предположительно создавало высокое давление, необходимое для превращения графита в алмаз. Мойсан опубликовал свои работы в серии статей в 1890-х годах. Многие другие ученые пытались воспроизвести его эксперименты. Сэр Уильям Крук заявил об успехе в 1909 году. Отто Руфф в 1917 году утверждал, что создал алмазы диаметром до , но позже отказался от своего заявления. В 1926 году доктор Дж. Уиллард Херши из колледжа Макферсона повторил эксперименты Мойссана и Руффа, получив синтетический алмаз. Несмотря на заявления Мойссана, Руффа и Херши, другим экспериментаторам не удалось воспроизвести их синтез. Наиболее убедительные попытки воспроизведения были предприняты сэром Чарльзом Алджерноном Парсонсом. Этот выдающийся ученый и инженер, известный своим изобретением паровой турбины, посвятил около 40 лет (1882–1922) и значительную часть своего состояния попыткам воспроизвести эксперименты Мойссана и Ханнея, а также разработал собственные методы. Парсонс был известен своим скрупулезным подходом и методичным ведением записей; все полученные образцы были сохранены для дальнейшего анализа независимой стороной. Он опубликовал ряд статей – одни из первых работ по синтезу алмазов HPHT – в которых утверждал, что ему удалось создать небольшие алмазы. Однако в 1928 году он разрешил доктору С. Х. Дешу опубликовать статью, в которой выразил уверенность в том, что до этого момента не было создано синтетических алмазов (включая алмазы Мойссана и других). Он предположил, что большинство алмазов, полученных к тому времени, скорее всего, являлись синтетическими шпинелями. Давление внутри устройства поддерживалось на уровне приблизительно и температуре в течение часа. Было получено несколько небольших алмазов, но не ювелирного качества или размера. В связи с вопросами, касающимися патентного процесса, и обоснованным убеждением в том, что в мире не ведется серьезных исследований в области синтеза алмазов, совет директоров ASEA отказался от публикации результатов и подачи патентных заявок. Таким образом, объявление о результатах ASEA последовало вскоре после пресс-конференции GE, состоявшейся 15 февраля 1955 года.
Проект GE по алмазам
В 1941 году было заключено соглашение между компаниями General Electric (GE), Norton и Carborundum о дальнейшем развитии синтеза алмазов. Им удалось нагреть углерод примерно до под давлением в течение нескольких секунд. Вскоре после этого Вторая мировая война прервала проект. В 1951 году работа была возобновлена в лабораториях GE в Шенектади, и была сформирована группа по синтезу алмазов под высоким давлением под руководством Фрэнсиса П. Банди и Х. М. Стронга. Позже к проекту присоединились Трейси Холл и другие. Впоследствии было установлено, что использованный алмаз был природным, примененным в качестве затравки. 16 декабря 1954 года Холл добился первого коммерчески успешного синтеза алмаза, а об этом было объявлено 15 февраля 1955 года. Его прорыв заключался в использовании "поясного" пресса, способного создавать давление выше и температуру выше. Пресс использовал контейнер из пирофиллита, в котором графит растворялся в расплавленном никеле, кобальте или железе. Эти металлы выступали в роли "катализатора-растворителя", который растворял углерод и ускорял его превращение в алмаз. Самый крупный алмаз, который ему удалось получить, имел размер поперечником; он был слишком мал и имел визуальные дефекты для ювелирных изделий, но пригоден для использования в промышленных абразивах. Коллеги Холла смогли воспроизвести его результаты, и открытие было опубликовано в авторитетном журнале Nature. Он был первым человеком, вырастившим синтетический алмаз с помощью воспроизводимого, верифицируемого и хорошо документированного процесса. Он покинул GE в 1955 году, а три года спустя разработал новый аппарат для синтеза алмазов – тетраэдрический пресс с четырьмя наковальнями – чтобы избежать нарушения распоряжения о конфиденциальности, выданного Министерством торговли США в отношении патентных заявок GE.
Дальнейшее развитие
Синтетические алмазные кристаллы ювелирного качества были впервые получены в 1970 году компанией GE, а результаты были опубликованы в 1971 году. Первые успехи были достигнуты с использованием пирофиллитовой трубки, засеянной на обоих концах тонкими пластинами алмаза. Графитовый исходный материал помещали в центр, а металлический растворитель (никель) – между графитом и затравками. Контейнер нагревали и давление повышали примерно до. Кристаллы растут, перемещаясь от центра к концам трубки, и увеличение продолжительности процесса позволяет получать более крупные кристаллы. Изначально недельный процесс роста давал ювелирные камни весом около 1 карата (0,2 г), при этом условия процесса должны были быть максимально стабильными. Вскоре графитовый исходный материал заменили алмазным порошком, поскольку это обеспечивало лучший контроль над формой конечного кристалла. Первые ювелирные камни всегда имели желтый или коричневый оттенок из-за примеси азота. Включения были распространены, особенно в виде "пластин" из никеля. Удаление всего азота из процесса путем добавления алюминия или титана позволило получить бесцветные ("белые") камни, а удаление азота и добавление бора – синие. Удаление азота также замедляло процесс роста и снижало кристаллическое качество, поэтому процесс обычно проводили в присутствии азота. Хотя синтезированные компанией GE камни и природные алмазы были химически идентичны, их физические свойства различались. Бесцветные камни демонстрировали сильную флуоресценцию и фосфоресценцию под ультрафиолетовым светом с короткой длиной волны, но были инертны под ультрафиолетовым светом с длинной волной. Среди природных алмазов эти свойства проявляются только у редких голубых камней. В отличие от природных алмазов, все камни, выращенные GE, демонстрировали сильную желтую флуоресценцию при рентгеновском облучении. Исследовательская лаборатория De Beers выращивала камни весом до 100 г для исследовательских целей. Стабильные условия HPHT поддерживались в течение шести недель для выращивания высококачественных алмазов такого размера. По экономическим причинам рост большинства синтетических алмазов прекращали, когда они достигали массы до. В то время как Эверсол и Ангус использовали большие, дорогие монокристаллы алмаза в качестве подложек, Дерягину и Федосееву удалось получить алмазные пленки на неалмазных материалах (силиконе и металлах), что привело к масштабным исследованиям недорогих алмазных покрытий в 1980-х годах. С 2013 года стали появляться сообщения об увеличении количества необнаруженных синтетических мелких алмазов (маленьких круглых алмазов, обычно используемых для обрамления центрального камня или украшения ободка) в ювелирных изделиях и в партиях алмазов, продаваемых на рынке. Из-за относительно низкой стоимости мелких алмазов, а также недостатка общедоступных знаний для эффективной идентификации больших партий мелких алмазов, не все дилеры прилагают усилия для проверки мелких алмазов, чтобы точно определить их природное или синтетическое происхождение. Однако международные лаборатории сейчас активно решают эту проблему, добиваясь значительных успехов в идентификации синтетических мелких алмазов.
Технологии производства
Для получения синтетических алмазов используется несколько методов. Первоначальный метод использует высокое давление и высокую температуру (HPHT) и до сих пор широко применяется из-за его относительно низкой стоимости. Процесс включает в себя большие прессы, способные выдерживать вес в сотни тонн, для создания давления в . Второй метод, использующий химическое осаждение из газовой фазы (CVD), создает углеродную плазму над подложкой, на которую атомы углерода осаждаются, формируя алмаз. Другие методы включают взрывное формирование (получение детонационных наноалмазов) и сонификацию графитовых растворов. Поясовые прессы все еще используются сегодня, но они изготавливаются в гораздо больших масштабах, чем оригинальные конструкции. Второй тип конструкции пресса – кубический пресс. Кубический пресс имеет шесть наковален, которые одновременно оказывают давление на все грани кубического объема. Кубический пресс был разработан вскоре после этого для увеличения объема, на который можно было приложить давление. Кубический пресс обычно меньше поясового и может быстрее достигать давления и температуры, необходимых для создания синтетического алмаза. Однако кубические прессы сложно масштабировать для больших объемов: объем под давлением можно увеличить, используя более крупные наковальни, но это также увеличивает усилие, необходимое для наковален для достижения того же давления. Альтернативным решением является уменьшение отношения площади поверхности к объему под давлением путем использования большего количества наковален, сходящихся к платоническому телу более высокого порядка, такому как додекаэдр. Однако такой пресс был бы сложным в изготовлении. Утверждается, что аппарат BARS является наиболее компактным, эффективным и экономичным из всех прессов для производства алмазов. В центре устройства BARS находится керамическая цилиндрическая "синтезирующая капсула" размером около в диаметре. Капсула помещается в куб из материала, передающего давление, такого как пирофиллитовая керамика, который сжимается внутренними наковальнями из твердого сплава (например, карбида вольфрама или твердого сплава VK10). Внешняя октаэдрическая полость сжимается 8 стальными внешними наковальнями. После сборки вся конструкция фиксируется в бочке дискового типа диаметром около . Бочка заполняется маслом, которое при нагревании создает давление, и это давление передается в центральную капсулу. Синтезирующая капсула нагревается коаксиальным графитовым нагревателем, а температура измеряется термопарой.
Химическое осаждение паров
Химическое осаждение из паровой фазы – это метод, с помощью которого алмаз может быть выращен из смеси углеводородных газов. С начала 1980-х годов этот метод является предметом интенсивных исследований во всем мире. В то время как массовое производство высококачественных алмазных кристаллов делает процесс HPHT более подходящим выбором для промышленных применений, гибкость и простота установок CVD объясняют популярность выращивания CVD в лабораторных исследованиях. Преимущества выращивания алмазов CVD включают возможность выращивать алмазы на больших площадях и на различных подложках, а также точный контроль над химическими примесями и, следовательно, свойствами получаемого алмаза. В отличие от HPHT, процесс CVD не требует высокого давления, поскольку рост обычно происходит при давлении ниже. Рост CVD включает в себя подготовку подложки, подачу различных количеств газов в камеру и их активацию. Подготовка подложки включает выбор подходящего материала и его кристаллографической ориентации, очистку, часто с использованием алмазного порошка для абразивной обработки неалмазной подложки, и оптимизацию температуры подложки (около) в процессе роста посредством серии тестовых запусков. Кроме того, оптимизация состава газовой смеси и скорости потока имеет первостепенное значение для обеспечения равномерного и высококачественного роста алмаза. Газы всегда включают источник углерода, как правило, метан, и водород с типичным соотношением 1:99. Водород необходим, поскольку он избирательно удаляет неалмазный углерод. Газы ионизируются в химически активные радикалы в камере роста с использованием микроволновой энергии, горячей нити, дугового разряда, сварочной горелки, лазера, электронного луча или других средств. В процессе роста материалы камеры подвергаются травлению плазмой и могут включаться в растущий алмаз. В частности, алмазы, выращенные методом CVD, часто содержат примеси кремния, поступающего из кварцевых окон камеры роста или из кремниевой подложки. Поэтому кварцевые окна либо избегают, либо удаляют от подложки. Содержащие бор примеси в камере, даже в очень малых концентрациях, также делают ее непригодной для выращивания чистого алмаза.
The CVD growth involves substrate preparation, feeding varying amounts of gases into a chamber and energizing them. The substrate preparation includes choosing an appropriate material and its crystallographic orientation; cleaning it, often with a diamond powder to abrade a non diamond substrate; and optimizing the substrate temperature (about ) during the growth through a series of test runs. Moreover, optimizing the gas mixture composition and flow rates is paramount to ensure uniform and high quality diamond growth. The gases always include a carbon source, typically methane, and hydrogen with a typical ratio of 1:99. Hydrogen is essential because it selectively etches off non diamond carbon. The gases are ionized into chemically active radicals in the growth chamber using microwave power, a hot filament, an arc discharge, a welding torch, a laser, an electron beam, or other means. During the growth, the chamber materials are etched off by the plasma and can incorporate into the growing diamond. In particular, CVD diamond is often contaminated by silicon originating from the silica windows of the growth chamber or from the silicon substrate. Therefore, silica windows are either avoided or moved away from the substrate. Boron containing species in the chamber, even at very low trace levels, also make it unsuitable for the growth of pure diamond.
Детонация взрывчатых веществ
Нанокристаллы алмаза (по диаметру) могут быть получены при детонации определенных углеродсодержащих взрывчатых веществ в металлической камере. Они называются "детонационными наноалмазами". Во время взрыва давление и температура в камере становятся достаточно высокими для преобразования углерода взрывчатых веществ в алмаз. Камера, погруженная в воду, быстро охлаждается после взрыва, что предотвращает переход вновь образованного алмаза в более стабильный графит. В одной из модификаций этой технологии металлическая трубка, заполненная графитовым порошком, помещается в камеру детонации. Взрыв нагревает и сжимает графит в достаточной степени для его превращения в алмаз. Продукт всегда содержит большое количество графита и других неалмазных форм углерода и требует продолжительного кипячения в горячей азотной кислоте (около 1 дня при температуре +2 °C) для их растворения. Полученный порошок наноалмазов в основном используется для полировки. Его основными производителями являются Китай, Россия и Беларусь, и он начал поступать на рынок в значительных количествах в начале 2000-х годов.
Ультразвуковая кавитация
Алмазные кристаллы микронного размера могут быть синтезированы из суспензии графита в органической жидкости при атмосферном давлении и комнатной температуре с использованием ультразвуковой кавитации. Выход алмазов составляет около 10% от первоначального веса графита. Оценочная стоимость алмазов, полученных этим методом, сопоставима со стоимостью алмазов, полученных методом HPHT, однако кристаллическое совершенство продукта значительно ниже при ультразвуковом синтезе. Эта технология требует относительно простого оборудования и процедур и была описана двумя исследовательскими группами, но не нашла промышленного применения по состоянию на 2008 год. Множество параметров процесса, таких как подготовка исходного графитового порошка, выбор мощности ультразвука, время синтеза и растворитель, не были оптимизированы, что открывает возможности для потенциального повышения эффективности и снижения стоимости ультразвукового синтеза.
Кристаллизация внутри жидкого металла
В 2024 году ученые объявили о методе, использующем введение газов метана и водорода в жидкий металлический сплав галлия, железа, никеля и кремния (в соотношении 77,25/11,00/11,00/0,25) при температуре около 1025 °C для кристаллизации алмаза при давлении в 1 атмосферу. Кристаллизация происходит без использования затравки, что дополнительно отличает этот метод от традиционных высокотемпературных и высоконапорных методов, а также методов химического осаждения из газовой фазы. Введение метана и водорода приводит к образованию алмазного ядра примерно через 15 минут и, в конечном итоге, к формированию сплошной алмазной пленки примерно через 150 минут.
Свойства
Традиционно отсутствие кристаллических дефектов считается самым важным качеством алмаза. Чистота и высокая кристаллическая совершенность делают алмазы прозрачными и ясными, а их твердость, оптическая дисперсия (блеск) и химическая стабильность (в сочетании с маркетингом) – популярным драгоценным камнем. Высокая теплопроводность также важна для технических применений. В то время как высокая оптическая дисперсия является неотъемлемым свойством всех алмазов, другие их свойства варьируются в зависимости от способа образования алмаза.
Кристалличность
Алмаз может быть одним цельным, непрерывным кристаллом или состоять из множества более мелких кристаллов (поликристаллом). Крупные, чистые и прозрачные монокристаллические алмазы обычно используются в качестве драгоценных камней. Поликристаллический алмаз (PCD) состоит из многочисленных мелких зерен, которые легко различимы невооруженным глазом из-за интенсивного поглощения и рассеяния света; он непригоден для изготовления драгоценных камней и применяется в промышленности, например, в горнодобывающей отрасли и для изготовления режущего инструмента. Поликристаллический алмаз часто характеризуется средним размером (или размером зерна) составляющих его кристаллов. Размер зерен варьируется от нанометров до сотен микрометров и обычно обозначается как "нанокристаллический" и "микрокристаллический" алмаз соответственно.
Твердость
Твердость алмаза составляет 10 по шкале Мооса, что делает его самым твердым из известных материалов по этой шкале. Алмаз также является самым твердым из известных природных материалов по сопротивлению вдавливанию. Нанокристаллический алмаз, полученный методом CVD, может иметь твердость от 30% до 75% от твердости монокристаллического алмаза, и этой твердостью можно управлять для конкретных задач. Некоторые синтетические монокристаллические алмазы и нанокристаллические алмазы, выращенные методом HPHT (см. Гипералмазы), превосходят по твердости любой известный природный алмаз.
Нечистоты и включения
Каждый алмаз содержит атомы, отличные от углерода, в концентрациях, обнаруживаемых аналитическими методами. Эти атомы могут объединяться в макроскопические фазы, называемые включениями. Примеси обычно нежелательны, но могут быть намеренно введены для контроля определенных свойств алмаза. Процессы выращивания синтетических алмазов с использованием растворителей-катализаторов обычно приводят к образованию ряда сложных центров, связанных с примесями, включающих атомы переходных металлов (таких как никель, кобальт или железо), которые влияют на электронные свойства материала. Например, чистый алмаз является электрическим изолятором, но алмаз, легированный бором, является электрическим проводником (и в некоторых случаях – сверхпроводником), что позволяет использовать его в электронных устройствах. Примеси азота затрудняют движение дислокаций в кристаллической решетке (дефектов кристаллической структуры) и создают в решетке сжимающие напряжения, тем самым повышая твердость и вязкость.
Теплопроводность
Теплопроводность алмазов, полученных методом CVD, варьируется от десятков Вт/(м²·К) до более чем 2000 Вт/(м²·К) в зависимости от дефектов и структуры границ зерен. В процессе роста алмаза методом CVD зерна увеличиваются в размере с толщиной пленки, что приводит к градиенту теплопроводности по направлению толщины пленки. Ювелиры и геммологи используют высокую теплопроводность алмазов, применяя электронные тепловые зонды для отличия алмазов от их имитаций. Эти зонды состоят из пары термисторов, работающих от батарей, установленных в тонком медном наконечнике. Один термистор служит нагревательным элементом, а другой измеряет температуру медного наконечника: если исследуемый камень – алмаз, он будет проводить тепловую энергию наконечника достаточно быстро, чтобы вызвать измеримое понижение температуры. Этот тест занимает около 2–3 секунд.
Машиностроительные и режущие инструменты
Большинство промышленных применений синтетического алмаза исторически связаны с его твердостью; это свойство делает алмаз идеальным материалом для станков и режущего инструмента. Как самый твердый из известных природных материалов, алмаз способен полировать, резать или изнашивать любой материал, включая другие алмазы. Типичные промышленные применения этой способности включают сверла и пилы с алмазным покрытием, а также использование алмазного порошка в качестве абразива. Это, безусловно, самые значительные промышленные применения синтетического алмаза. Хотя для этих целей также используется природный алмаз, синтетический алмаз, полученный методом HPHT, более популярен, главным образом благодаря лучшей воспроизводимости его механических свойств. Алмаз не подходит для высокоскоростной обработки черных металлов, поскольку углерод растворим в железе при высоких температурах, возникающих при высокоскоростной обработке, что приводит к значительному увеличению износа алмазного инструмента по сравнению с альтернативными вариантами. Обычно алмаз в режущем инструменте представлен микроскопическими зернами, диспергированными в металлической матрице (обычно кобальте), спеченной на инструменте. В промышленности это обычно называют поликристаллическим алмазом (PCD). Инструменты с PCD-наконечниками широко используются в горнодобывающей промышленности и при резке. На протяжении последних пятнадцати лет ведутся работы по нанесению CVD-покрытий из алмаза на металлические инструменты, и хотя эти работы демонстрируют многообещающие результаты, они пока не привели к существенной замене традиционных PCD-инструментов.
Тепловой проводник
Большинство материалов с высокой теплопроводностью также являются электропроводящими, например, металлы. В отличие от этого, чистый синтетический алмаз обладает высокой теплопроводностью, но пренебрежимо малой электропроводностью. Такое сочетание свойств бесценно в электронике, где алмаз используется для отвода тепла от мощных лазерных диодов, лазерных батарей и силовых транзисторов. Эффективное рассеивание тепла увеличивает срок службы этих электронных компонентов, а их высокая стоимость замены оправдывает применение эффективных, хотя и относительно дорогих, алмазных радиаторов. В полупроводниковых технологиях синтетические алмазные радиаторы предотвращают перегрев кремния и других полупроводниковых приборов.
Оптический материал
Алмаз твердый, химически инертный, обладает высокой теплопроводностью и низким коэффициентом теплового расширения. Эти свойства делают алмаз превосходящим любой другой существующий материал для изготовления окон, используемых для пропускания инфракрасного и микроволнового излучения. Поэтому синтетический алмаз начинает заменять селенид цинка в качестве выходного окна высокомощных CO2-лазеров и гиротронов. Эти синтетические поликристаллические алмазные окна изготавливаются в форме дисков большого диаметра (около 10 см для гиротронов) и небольшой толщины (для снижения поглощения) и могут быть получены только методом CVD. Однокристаллические пластины размерами до приблизительно 10 мм становятся все более важными в различных областях оптики, включая отводители тепла внутри лазерных резонаторов, дифракционную оптику и в качестве оптической среды усиления в рамановских лазерах. Недавние достижения в методах синтеза HPHT и CVD улучшили чистоту и совершенство кристаллической структуры монокристаллического алмаза, что позволяет ему заменить кремний в качестве дифракционной решетки и оконного материала в мощных источниках излучения, таких как синхротроны. Методы CVD и HPHT также используются для создания специализированных оптически прозрачных алмазных наковален, применяемых в качестве инструмента для измерения электрических и магнитных свойств материалов при сверхвысоких давлениях с использованием ячейки с алмазными наковальнями.
Электроника
Синтетический алмаз обладает потенциалом для использования в качестве полупроводника, поскольку его можно легировать примесями, такими как бор и фосфор. Поскольку эти элементы содержат на один валентный электрон больше или меньше, чем углерод, они превращают синтетический алмаз в полупроводник n- или p-типа. Создание p–n-перехода путем последовательного легирования синтетического алмаза бором и фосфором позволяет получать светодиоды (LED), излучающие ультрафиолетовый свет с длиной волны 235 нм. Другим полезным свойством синтетического алмаза для электроники является высокая подвижность носителей заряда, достигающая 4500 см²/ (В·с) для электронов в монокристаллическом алмазе, полученном методом CVD. Высокая подвижность благоприятна для высокочастотных применений, и полевые транзисторы на основе алмаза уже продемонстрировали перспективные высокочастотные характеристики свыше 50 ГГц. Широкая запрещенная зона алмаза (5,5 эВ) обеспечивает ему отличные диэлектрические свойства. В сочетании с высокой механической стабильностью алмаза эти свойства используются при создании прототипов высокомощных выключателей для электростанций. Синтетические алмазные транзисторы были созданы в лабораторных условиях. Они сохраняют работоспособность при значительно более высоких температурах, чем кремниевые приборы, и устойчивы к химическому и радиационному воздействию. Хотя алмазные транзисторы еще не были успешно интегрированы в коммерческую электронику, они перспективны для применения в условиях исключительно высокой мощности и агрессивных не окисляющих средах. Синтетический алмаз уже используется в качестве прибора для регистрации излучения. Он радиационно-стоек и имеет широкую запрещенную зону 5,5 эВ (при комнатной температуре). Алмаз также отличается от большинства других полупроводников отсутствием стабильного природного оксида. Это затрудняет создание поверхностных МОП-структур, но открывает возможность для проникновения УФ-излучения к активному полупроводнику без поглощения в поверхностном слое. Благодаря этим свойствам он применяется в таких устройствах, как детектор BaBar в Стэнфордском линейном ускорителе и BOLD (детекторы, нечувствительные к оптическому свету, для ВУФ-солнечных наблюдений). Недавно алмазный ВУФ-детектор был использован в европейской программе LYRA. Проводящий алмаз, полученный методом CVD, является полезным электродом во многих случаях. Разработаны фотохимические методы ковалентного связывания ДНК с поверхностью поликристаллических алмазных пленок, полученных методом CVD. Такие модифицированные ДНК-пленки могут использоваться для обнаружения различных биомолекул, которые взаимодействуют с ДНК, изменяя тем самым электрическую проводимость алмазной пленки. Кроме того, алмазы могут использоваться для регистрации окислительно-восстановительных реакций, которые обычно трудно изучать, и в некоторых случаях для разложения органических загрязнителей, участвующих в окислительно-восстановительных процессах, в источниках водоснабжения. Благодаря механической и химической стабильности алмаза, его можно использовать в качестве электрода в условиях, которые разрушают традиционные материалы. В качестве электрода синтетический алмаз может применяться при очистке сточных вод от органических стоков и производстве сильных окислителей.
Драгоценные камни
Синтетические алмазы для использования в качестве драгоценных камней выращиваются методами HPHT или CVD. Однако есть признаки того, что доля рынка синтетических алмазов ювелирного качества может расти, поскольку успехи в технологиях позволяют производить более крупные и качественные синтетические алмазы в более экономичных масштабах. Они доступны в желтом, розовом, зеленом, оранжевом, синем и, в меньшей степени, бесцветном (или белом) цвете. Желтый цвет обусловлен примесями азота в процессе производства, а синий – бором. Некоторые компании также предлагают мемориальные алмазы, выращенные из кремированных останков. Алмазы, выращенные в лаборатории, могут быть химически, физически и оптически идентичны природным. Алмазодобывающая промышленность предприняла юридические, маркетинговые и дистрибьюторские меры для защиты своего рынка от растущего присутствия синтетических алмазов. Синтетические алмазы можно идентифицировать с помощью спектроскопии в инфракрасном, ультрафиолетовом или рентгеновском диапазонах. Тестер DiamondView от De Beers использует ультрафиолетовую флуоресценцию для обнаружения следовых примесей азота, никеля или других металлов в алмазах, выращенных методами HPHT или CVD. По крайней мере, один производитель лабораторно выращенных алмазов публично заявил о своей "приверженности раскрытию информации" о природе своих алмазов и наносит серийные номера лазером на все свои драгоценные камни. На веб-сайте компании приведен пример лазерной надписи, включающей слова "Gemesis created" и префикс серийного номера "LG" (laboratory grown – выращенный в лаборатории). В мае 2015 года был установлен рекорд для бесцветного алмаза HPHT весом 10,02 карата. Этот ограненный камень был вырезан из необработанного камня весом 32,2 карата, выращенного примерно за 300 часов. К 2022 году производились алмазы ювелирного качества весом 16–20 карат. Традиционная добыча алмазов привела к нарушениям прав человека в Африке и других странах, занимающихся добычей алмазов. Голливудский фильм 2006 года "Кровавый бриллиант" помог привлечь внимание к этой проблеме. Потребительский спрос на синтетические алмазы растет, хотя и с небольшой базы, поскольку покупатели ищут этически чистые и более доступные по цене камни. Согласно отчету Совета по содействию экспорту драгоценных камней и ювелирных изделий, в 2014 году на долю синтетических алмазов приходилось 0,28% от общего объема алмазов, используемых для изготовления драгоценных камней. В апреле 2022 года CNN Business сообщила, что количество обручальных колец с синтетическим или лабораторно выращенным алмазом увеличилось на 63% по сравнению с предыдущим годом, в то время как количество обручальных колец с натуральным алмазом за тот же период снизилось на 25%. Около 2016 года цена на синтетические алмазные драгоценные камни (например, 1-каратные камни) начала "стремительно" падать примерно на 30% в год, став заметно ниже, чем на добытые алмазы. По состоянию на 2017 год синтетические алмазы, продаваемые в качестве ювелирных изделий, обычно стоили на 15–20% дешевле, чем их природные аналоги; ожидалось, что относительная цена будет снижаться по мере улучшения экономической эффективности производства. В мае 2018 года De Beers объявила о запуске нового ювелирного бренда под названием "Lightbox", в котором будут представлены синтетические алмазы. В июле 2018 года Федеральная торговая комиссия США одобрила существенную редакцию своих Руководств по ювелирным изделиям, внеся изменения, которые устанавливают новые правила для описания алмазов и имитаций алмазов. Пересмотренные руководства существенно противоречили тому, что De Beers продвигала в 2016 году. Новые рекомендации исключают слово "натуральный" из определения "алмаз", тем самым включая лабораторно выращенные алмазы в определение "алмаз". В пересмотренном руководстве также говорится, что "если продавец использует слово "синтетический", чтобы подразумевать, что лабораторно выращенный алмаз конкурента не является настоящим алмазом, это будет вводить в заблуждение". В июле 2019 года независимая лаборатория по сертификации алмазов GIA (Гемологический институт Америки) исключила слово "синтетический" из своего процесса сертификации и отчета для лабораторно выращенных алмазов в соответствии с редакцией FTC.