Введение
Жан Амеде Хоерни (26 сентября 1924 – 12 января 1997) – американский инженер швейцарского происхождения. Он был одним из пионеров кремниевых транзисторов и членом так называемой "предательской восьмерки". Он разработал планарную технологию – важный метод для надежного производства полупроводниковых приборов, таких как транзисторы и интегральные схемы.
Jean Amédée Hoerni (September 26, 1924 – January 12, 1997) was a Swiss born American engineer. He was a silicon transistor pioneer, and a member of the "traitorous eight". He developed the planar process, an important technology for reliably fabricating and manufacturing semiconductor devices, such as transistors and integrated circuits.
Биография
Хоерни родился 26 сентября 1924 года в Женеве, Швейцария. Он получил степень бакалавра математики в Женевском университете и две докторские степени по физике: одну в Женевском университете, другую – в Кембриджском университете. В 1952 году он переехал в Соединенные Штаты для работы в Калифорнийском технологическом институте, где познакомился с Уильямом Шокли, физиком из Bell Labs, тесно вовлеченным в создание транзистора. Через несколько лет Шокли пригласил Хоерни работать с ним в недавно основанном подразделении Shockley Semiconductor Laboratory компании Beckman Instruments в Маунтин-Вью, Калифорния. Однако странное поведение Шокли побудило так называемую «предательскую восьмерку» (Хоерни, Джулиус Бланк, Виктор Гринич, Юджин Клейнер, Джей Ласт, Гордон Мур, Роберт Нойс и Шелдон Робертс) покинуть его лабораторию и основать корпорацию Fairchild Semiconductor. В 1958 году Хоерни посетил собрание Электрохимического общества, где инженер Bell Labs Мохамед Аталла представил доклад о пассивации p–n переходов оксидом и продемонстрировал пассивирующий эффект диоксида кремния на поверхности кремния. Хоерни заинтересовался этим и однажды утром, размышляя об устройстве Аталлы, пришел к концепции планарной технологии. Планарный процесс был критически важен для изобретения кремниевой интегральной схемы Робертом Нойсом. Нойс развил работу Хоерни, предложив концепцию интегральной схемы, которая добавляла слой металла поверх базовой структуры Хоерни для соединения различных компонентов, таких как транзисторы, конденсаторы или резисторы, расположенных на одном кристалле кремния. Планарный процесс обеспечивал эффективный способ реализации интегральной схемы, превосходящий более ранние разработки. Вместе с выпускниками «предательской восьмерки» Джеем Ластом и Шелдоном Робертсом Хоерни основал Amelco (ныне известную как Teledyne) в 1961 году. В 1964 году он основал Union Carbide Electronics, а в 1967 году – Intersil, где стал пионером низковольтных КМОП-интегральных схем. В 1969 году он был удостоен медали Эдварда Лонгстрета Института Франклина, а в 1972 году – премии Макдауэлла. Ему было 72 года.
Личная жизнь
Он был женат на Энн Мари Хёрни и имел троих детей: Энни Блэквелл, Сьюзан Киллхэм и Майкл Хёрни. У него был один брат, Марк Хёрни. В 1993 году Хёрни женился на Дженнифер Уилсон.
Благотворительность
Заядлый альпинист, Хоерни часто посещал горы Каракорум в Пакистане и был глубоко тронут бедностью горного народа балти, проживавшего там. Он внес основной вклад, 30 000 долларов, в проект Грега Мортенсона по строительству школы в отдаленной деревне Корфе, а позже основал Институт Центральной Азии с целевым капиталом в 1 миллион долларов, чтобы продолжать оказывать им помощь и после своей смерти. Хоерни назначил Грега Мортенсона первым исполнительным директором организации, которая продолжает строить школы в Пакистане и Афганистане. В декабре 2007 года Майкл Риордан опубликовал статью о Хоерни и его планарном методе в журнале IEEE Spectrum. Автор утверждал, что Джей Ласт отметил невероятную выносливость Хоерни и его способность часами ходить, обходясь небольшим количеством еды и воды.
Патенты
1962, Патент США 3,025,589 A (Espanet) «Способ изготовления полупроводниковых приборов», присвоенный компании Fairchild Camera and Instrument Corp.
1962, Патент США 3,064,167 A (Espanet) «Полупроводниковое устройство», присвоенное компании Fairchild Camera and Instrument Corp.
1963, Патент США 3,108,914 A (Espanet) «Процесс изготовления транзисторов», присвоенный компании Fairchild Camera and Instrument Corp.
1962, U. S. Patent 3,064,167 A (Espanet) «Semiconductor device», assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.
1963, U. S. Patent 3,108,914 A (Espanet), «Transistor manufacturing process», assigned to Fairchild Camera and Instrument Corp.