Жорес Алфёров (1930-2019) – советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии за гетероструктуры. Биография, вклад в оптоэлектронику и политическая деятельность.
Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Советский и российский физик (1930–2019)
Soviet Russian physicist (1930–2019)
Жорж Иванович Альферов (; ; 15 марта 1930 – 1 марта 2019) – советский и российский физик и ученый, внесший значительный вклад в создание современной физики и электроники гетероструктур. Он разделил Нобелевскую премию по физике в 2000 году за разработку полупроводниковых гетеропереходов для оптоэлектроники. В более поздние годы он стал политиком, в 1995 году вступив в Государственную Думу, нижнюю палату российского парламента, в качестве члена Коммунистической партии.
Zhores Ivanovich Alferov (; ; 15 March 19301 March 2019) was a Soviet and Russian physicist and academic who contributed significantly to the creation of modern heterostructure physics and electronics. He shared the 2000 Nobel Prize in Physics for the development of the semiconductor heterojunction for optoelectronics. He also became a politician in his later life, serving in the lower house of the Russian parliament, the State Duma, as a member of the Communist Party from 1995.
Ранние годы и образование
Альферов родился в Витебске, Белорусская ССР, Советский Союз, в семье русского отца, Ивана Карповича Альферова, директора завода, и еврейской матери, Анны Владимировны Розенблюм. Его назвали в честь французского социалиста Жана Жореса, а его старшего брата – Марксом, в честь Карла Маркса. В 1987 году Альферов стал директором Института Иоффе. Эти плоские полупроводниковые усилители сегодня известны как транзисторы. Вклад Альферова включал работу над германиевыми диодами, используемыми в качестве выпрямителей. В начале 1960-х годов Альферов организовал в Институте Иоффе работы по разработке полупроводниковых гетероструктур. Полупроводниковые транзисторы с гетеропереходами обеспечивали работу на более высоких частотах, чем их предшественники с гомопереходами, и эта возможность играет ключевую роль в современной мобильной и спутниковой связи. Альферов и его коллеги работали с гетероструктурами на основе GaAs и AlAs III-V. Особое внимание уделялось использованию гетеропереходов для создания полупроводниковых лазеров, способных к генерации при комнатной температуре. В 1963 году Альферов подал заявку на патент, предлагающий лазеры с двойной гетероструктурой; Герберт Кромер независимо подал аналогичную заявку в США несколько месяцев спустя. В 1966 году в лаборатории Альферова были созданы первые лазеры на основе гетероструктур, однако они не обеспечивали непрерывную генерацию. Затем, в 1968 году, Альферов и его коллеги создали первый полупроводниковый гетероструктурный лазер непрерывной генерации, работающий при комнатной температуре. За эту работу Альферов совместно с Гербертом Кромером получил Нобелевскую премию по физике в 2000 году «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокоскоростной и оптоэлектронике». В 1960-х и 1970-х годах Альферов продолжил исследования физики и технологии полупроводниковых гетероструктур в своей лаборатории в Институте Иоффе. Исследования Альферова по свойствам инжекции носителей в полупроводниках и его вклад в разработку лазеров, солнечных элементов, светодиодов и эпитаксиальных процессов привели к созданию современной физики и электроники гетеропереходов. Альферов придерживался почти мессианского взгляда на гетероструктуры, написав: «Многие ученые внесли вклад в этот замечательный прогресс, который в значительной степени определяет будущее физики твердого тела и, в определенном смысле, влияет на будущее человеческого общества».
Alferov was born in Vitebsk, Byelorussian SSR, Soviet Union, to a Russian father, Ivan Karpovich Alferov, a factory manager, and a Jewish mother, Anna Vladimirovna Rosenblum. He was named after French socialist Jean Jaurès while his older brother was named Marx after Karl Marx. Alferov then served as the director of the Ioffe Institute from 1987 These planar semiconductor amplifiers would be referred to as transistors in the present day. Alferov's contribution included work on germanium diodes for use as a rectifier. In the early 1960s, Alferov organized an effort at Ioffe Institute to develop semiconductor heterostructures. Semiconductor heterojunctions transistors enabled higher frequency use than their homojunction predecessors, and this capability plays a key role in modern mobile phone and satellite communications. Alferov and colleagues worked on GaAs and AlAs III V heterojunctions. A particular focus was the use of heterojunctions to create semiconductor lasers capable of lasing at room temperature. In 1963, Alferov filed a patent application proposing double heterostructure lasers; Herbert Kroemer independently filed a US patent several months later. In 1966, Alferov's lab created the first lasers based on heterostructures, although they did not lase continuously. Then in 1968, Alferov and coworkers produced the first continuous wave semiconductor heterojunction laser operating at room temperature. It was for this work that Alferov received the 2000 Nobel Prize in Physics together with Herbert Kroemer, "for developing semiconductor heterostructures used in high speed and optoelectronics". In the 1960s and 1970s Alferov continued his work on the physics and technology of semiconductor heterostructures in his lab at the Ioffe Institute. Alferov's investigations of injection properties of semiconductors and his contributions to the development of lasers, solar cells, LEDs, and epitaxy processes, led to the creation of modern heterojunction physics and electronics. Alferov had an almost messianic conception of heterostructures, writing: "Many scientists have contributed to this remarkable progress, which not only determines in large measure the future prospects of solid state physics but in a certain sense affects the future of human society as well."
Научное управление
В 1987 году Алферов стал пятым директором Института Иоффе. В 1989 году Алферов занял административный пост председателя Ленинградского научного центра, теперь известного как Санкт-Петербургский научный центр. В Ленинградской области этот научный центр представляет собой объединяющую организацию, включающую 70 учреждений, организаций, предприятий и научных обществ.
In 1987, Alferov became the fifth director of the Ioffe Institute. In 1989, Alferov gained the administrative position of chairman of the Leningrad Scientific Center, now referred to as the St. Petersburg Scientific Center. In the Leningrad region, this scientific center is an overarching organization comprising 70 institutions, organizations, enterprises, and scientific societies.
Некоммерческая служба
Алферов входил в консультативный совет CRDF Global.
Alferov served on the advisory council of CRDF Global.
Болезнь и смерть
С ноября 2018 года Альферов страдал от гипертонического криза. Он умер в возрасте 88 лет 1 марта 2019 года.
Since November 2018, Alferov suffered from hypertensive emergency. He died at the age of 88 on 1 March 2019.
Личная жизнь
Жена Альферова была Тамарой Дарской. У них было двое детей: сын Иван и дочь Ольга. Он был одним из подписантов открытого письма президенту Владимиру Путину от членов Российской академии наук против клерикализации России.
Alferov's wife was named Tamara Darskaya. Together they had two children, a son Ivan and a daughter Olga. He was one of the signers of the open letter to President Vladimir Putin from members of the Russian Academy of Sciences against clericalisation of Russia.