Введение

Измерение поглощения рентгеновских лучей материалом в зависимости от энергии

Расширенная тонкая структура поглощения рентгеновских лучей (EXAFS), вместе с поглощением рентгеновских лучей вблизи края поглощения (XANES), является частью спектроскопии поглощения рентгеновских лучей (XAS). Как и другие методы абсорбционной спектроскопии, методы XAS подчиняются закону Бера. Коэффициент поглощения рентгеновских лучей материала в зависимости от энергии определяется путем направления рентгеновских лучей с узким диапазоном энергий на образец, при этом регистрируются интенсивности падающего и прошедшего излучения по мере увеличения энергии падающих рентгеновских лучей. Когда энергия падающего рентгеновского излучения соответствует энергии связи электрона атома в образце, количество поглощенных образцом рентгеновских лучей резко возрастает, что приводит к уменьшению интенсивности прошедшего излучения. Это приводит к образованию края поглощения. Каждый элемент имеет набор уникальных краев поглощения, соответствующих различным энергиям связи его электронов, что обеспечивает элементную селективность XAS. Спектры XAS чаще всего регистрируются на синхротронах, поскольку высокая интенсивность источников синхротронного излучения позволяет определять концентрацию поглощающего элемента до нескольких частей на миллион. Поглощение было бы неопределимым, если бы источник был недостаточно мощным. Благодаря высокой проникающей способности рентгеновских лучей, образцами для XAS могут служить газы, твердые вещества или жидкости.

Предыстория

Спектры EXAFS отображаются в виде графиков зависимости коэффициента поглощения данного материала от энергии, обычно в диапазоне 500–1000 эВ, начиная до края поглощения элемента в образце. Коэффициент поглощения рентгеновского излучения обычно нормализуется до единичной высоты ступени. Это достигается путем аппроксимации линии в областях до и после края поглощения, вычитания линии до края из всего набора данных и деления на высоту ступени поглощения, которая определяется разностью между линиями до и после края при значении E0 (на краю поглощения). Нормализованные спектры поглощения часто называют спектрами XANES. Эти спектры могут быть использованы для определения среднего окислительного состояния элемента в образце. Спектры XANES также чувствительны к координационной среде атома-поглотителя в образце. Методы сопоставления с эталонами использовались для идентификации спектров XANES неизвестного образца по спектрам известных "стандартов". Линейная комбинация нескольких стандартных спектров может дать оценку вклада каждого из известных стандартных спектров в состав неизвестного образца. Спектры поглощения рентгеновского излучения регистрируются в диапазоне 200–35 000 эВ. Доминирующим физическим процессом является выбивание фотоэлектрона из внутренней оболочки атома-поглотителя поглощенным фотоном, что приводит к образованию вакансии в этой оболочке. Атом с вакансией в внутренней оболочке переходит в возбужденное состояние. Энергия выбитого фотоэлектрона равна энергии поглощенного фотона минус энергия связи начального состояния внутренней оболочки. Выбитый фотоэлектрон взаимодействует с электронами в окружающих невозбужденных атомах. Если рассматривать выбитый фотоэлектрон как волну, а окружающие атомы – как точечные рассеиватели, можно представить, что отраженные электронные волны интерферируют с проходящими волнами. Результирующая интерференционная картина проявляется в виде модуляции измеренного коэффициента поглощения, что вызывает колебания в спектрах EXAFS. Упрощенная теория однократного рассеяния плоских волн использовалась для интерпретации спектров EXAFS на протяжении многих лет, однако современные методы (такие как FEFF, GNXAS) показали, что поправки на сферическую волну и эффекты многократного рассеяния нельзя игнорировать. Амплитуда рассеяния фотоэлектронов в диапазоне низких энергий (5–200 эВ) кинетической энергии фотоэлектрона значительно возрастает, что приводит к доминированию процессов многократного рассеяния в спектрах XANES (или NEXAFS). Длина волны фотоэлектрона зависит от энергии и фазы отраженной волны, существующей в центральном атоме. Длина волны изменяется в зависимости от энергии входящего фотона. Фаза и амплитуда отраженной волны зависят от типа атома, осуществляющего рассеяние, и от расстояния атома-рассеивателя от центрального атома. Зависимость рассеяния от типа атома позволяет получить информацию о химической координационной среде исходного атома-поглотителя (центрально возбужденного атома) путем анализа данных EXAFS.

Экспериментальные соображения

Поскольку для проведения измерений EXAFS требуется источник рентгеновского излучения с возможностью настройки, данные часто собирают на синхротронах, как правило, на лучевых линиях, специально оптимизированных для этой цели. Пригодность конкретного синхротрона для изучения конкретного твердого вещества определяется яркостью рентгеновского потока на краях поглощения соответствующих элементов.

Примеры

EXAFS, как и XANES, является высокочувствительным методом с элементарной специфичностью. Благодаря этому, EXAFS представляет собой чрезвычайно полезный инструмент для определения химического состояния практически важных соединений, присутствующих в очень малых количествах или концентрациях. EXAFS широко используется в экологической химии, где ученые стремятся понять распространение загрязняющих веществ в экосистемах. EXAFS может применяться совместно с ускоренной масс-спектрометрией при проведении криминалистических экспертиз, в частности, в области контроля за нераспространением ядерного оружия.

История

Очень подробное, сбалансированное и информативное изложение истории EXAFS (первоначально называемой структурами Косселя) приводится Р. Штумм фон Бордвером. Более современный и точный рассказ об истории XAFS (включающей EXAFS и XANES) дан руководителем группы, разработавшей современную версию EXAFS, в лекции, отмеченной наградой, Эдварда А. Стерна.

Бумаги

Ф. В. Лайтл, "Семейное древо EXAFS: личная история развития структуры тонкой расширенной рентгеновской спектроскопии поглощения", А. Кодре, И. Арчон, Материалы 36-й Международной конференции по микроэлектронике, приборам и материалам, MIDEM, Постойна, Словения, 28–30 октября 2000 г., с. 191–196.