Введение

Траектории электронов в электромагнитных полях

Электронная оптика – это математический аппарат для расчета траекторий электронов в электромагнитных полях. Термин "оптика" используется, поскольку магнитные и электростатические линзы воздействуют на пучок заряженных частиц аналогично тому, как оптические линзы воздействуют на световой пучок. Расчеты в области электронной оптики имеют решающее значение для проектирования электронных микроскопов и ускорителей частиц. В параксиальном приближении вычисление траекторий может быть выполнено с использованием анализа матрицы переноса лучей.

Свойства электрона

Электроны — заряженные частицы (точечные заряды с массой покоя) со спином 1/2 (следовательно, они являются фермионами). Электроны могут ускоряться под действием подходящих электрических полей, приобретая тем самым кинетическую энергию. При достаточном напряжении электрон может быть ускорен до такой скорости, чтобы проявлять измеримые релятивистские эффекты. В соответствии с принципом корпускулярно-волнового дуализма, электроны также могут рассматриваться как материи волны, обладающие такими свойствами, как длина волны, фаза и амплитуда.

Геометрическая электронная оптика

Оптикомеханическая аналогия Гамильтона показывает, что электронные пучки можно моделировать, используя понятия и математические формулы, применяемые к световым пучкам. Формула траектории электронов соответствует формуле геометрической оптики при подходящем электронно-оптическом показателе преломления. Этот показатель преломления выполняет функцию, аналогичную свойствам стекла, изменяя направление распространения лучей. В оптике света показатель преломления резко изменяется на границе между областями с постоянным показателем: управление лучами осуществляется формой этой границы. В электронной оптике показатель преломления изменяется в пространстве и контролируется электромагнитными полями, создаваемыми вне траекторий электронов.

Магнитные поля

Электроны взаимодействуют с магнитными полями в соответствии со вторым членом силы Лоренца: векторным произведением магнитного поля и скорости электрона. В бесконечном однородном поле это приводит к круговому движению электрона вокруг направления поля с радиусом, определяемым следующим образом:

где r — радиус орбиты, m — масса электрона, v⊥ — компонента скорости электрона, перпендикулярная полю, e — заряд электрона, а B — величина приложенного магнитного поля. Электроны, имеющие компоненту скорости, параллельную магнитному полю, будут двигаться по спиральным траекториям.

Электрические поля

В случае приложенного электростатического поля электрон отклоняется в сторону положительного градиента поля. Важно отметить, что пересечение линий электростатического поля означает, что электроны, перемещаясь в электростатическом поле, изменяют величину своей скорости, в то время как в магнитном поле изменяется только направление скорости.

Дифракционная электронная оптика

Поскольку электроны могут проявлять нечастичные (волновые) эффекты, такие как интерференция и дифракция, для полного анализа траекторий электронов необходимо выйти за рамки геометрической оптики. Распространение свободных электронов (в вакууме) можно точно описать как де-бройлевскую волну материи с длиной волны, обратно пропорциональной их продольному (возможно, релятивистскому) импульсу. К счастью, пока электромагнитное поле, через которое проходит электрон, изменяется достаточно медленно по сравнению с этой длиной волны (см. типичные значения в разделе "Волна материи # Применение волн материи"), применима формула дифракции Кирхгофа. Толщино-модулированные мембраны из нитрида кремния и программируемые устройства для сдвига фазы используют эти свойства для создания пространственно изменяющихся фазовых сдвигов, позволяющих управлять пространственной интенсивностью и фазой электронной волны в дальнем поле. Устройства подобного типа применяются для произвольного формирования электронного волнового фронта, коррекции аберраций, свойственных электронным микроскопам, определения орбитального углового момента свободного электрона и измерения дихроизма при взаимодействии свободных электронов с магнитными материалами или плазмонными наноструктурами.

Ограничения применения светооптических методов

Электроны сильно взаимодействуют с веществом, поскольку чувствительны не только к ядру, но и к электронному облаку этого вещества. Поэтому для прохождения электронами значительных расстояний, необходимых, например, в электронно-оптических системах, требуется вакуум. Проникновение в вещество в вакууме определяется средним свободным путем пробега – мерой вероятности столкновения электронов с веществом, приблизительные значения которого можно получить, используя статистику Пуассона.