Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Химическое соединение
Chemical compound
Селенид свинца (PbSe), или селенид свинца(II), является полупроводниковым материалом. Он образует кубические кристаллы с кристаллической структурой типа NaCl и имеет прямую ширину запрещенной зоны 0,27 эВ при комнатной температуре. (Следует отметить, что в некоторых источниках ошибочно относят PbSe и другие полупроводники IV–VI к материалам с непрямой запрещенной зоной.) Это серое твердое вещество, используемое для производства инфракрасных детекторов для тепловизионных систем. Минерал клаусталит представляет собой природный селенид свинца. Он может образовываться в результате прямой реакции между составляющими его элементами – свинцом и селеном.
Lead selenide (PbSe), or lead(II) selenide, a selenide of lead, is a semiconductor material. It forms cubic crystals of the NaCl structure; it has a direct bandgap of 0.27 eV at room temperature. (Note that incorrectly identifies PbSe and other IV–VI semiconductors as indirect gap materials.) A grey solid, it is used for manufacture of infrared detectors for thermal imaging. The mineral clausthalite is a naturally occurring lead selenide. It may be formed by direct reaction between its constituent elements, lead and selenium.
Инфракрасное обнаружение
PbSe был одним из первых материалов, обнаруженных как чувствительный к инфракрасному излучению, используемому в военных приложениях. Первые исследования материала в качестве инфракрасного детектора проводились в 1930-х годах, а первые работоспособные устройства были созданы немцами, американцами и британцами во время и сразу после Второй мировой войны. С тех пор PbSe широко используется как инфракрасный фотодетектор в различных областях, от спектрометров для обнаружения газов и пламени до инфракрасных взрывателей для артиллерийских боеприпасов или пассивных систем наведения по инфракрасному излучению (PIC). Обладая высокой чувствительностью к инфракрасному излучению, PbSe имеет уникальные и выдающиеся характеристики: он способен регистрировать ИК-излучение в диапазоне длин волн от 1,5 до 5,2 мкм (средневолновый инфракрасный диапазон, сокращенно MWIR – при определенных условиях возможно расширение его спектральной чувствительности до более чем 6 мкм), демонстрирует высокую детективность при комнатной температуре (безохлаждаемая работа) и, благодаря своей квантовой природе, отличается очень быстрым откликом, что делает его отличным кандидатом для создания недорогих высокоскоростных инфракрасных камер.
PbSe was one of the first materials found to be sensitive to the infrared radiation used for military applications. Early research works on the material as infrared detector were carried out during the 1930s and the first useful devices were processed by Germans, Americans and British during and just after World War II. Since then, PbSe has been commonly used as an infrared photodetector in multiple applications, from spectrometers for gas and flame detection to infrared fuzes for artillery ammunition or Passive Infrared Cueing systems (PICs). As a sensitive material to the infrared radiation, PbSe has unique and outstanding characteristics: it can detect IR radiation of wavelengths from 1.5 to 5.2 μm (mid wave infrared window, abbreviated MWIR – in some special conditions it is possible to extend its response beyond 6 μm), it has a high detectivity at room temperature (uncooled performance), and due to its quantum nature, it also presents a very fast response, which makes this material an excellent candidate as detector of low cost high speed infrared imagers.
Теория действия
Селенид свинца является фотопроводниковым материалом. Механизм его детекции основан на изменении проводимости поликристаллической тонкой пленки активного материала при воздействии фотонов. Эти фотоны поглощаются внутри микрокристаллов PbSe, что приводит к переходу электронов из валентной зоны в зону проводимости. Несмотря на то, что материал был всесторонне изучен, механизмы, определяющие его высокую чувствительность при комнатной температуре, до конца не выяснены. Общепризнано, что материал и поликристаллическая структура активной тонкой пленки играют ключевую роль в подавлении механизма Аугера и снижении темнового тока, связанного с наличием множественных обедненных областей на границах зерен и потенциальных барьеров внутри поликристаллической тонкой пленки.
Lead selenide is a photoconductor material. Its detection mechanism is based on a change of conductivity of a polycrystalline thin film of the active material when photons are incident. These photons are absorbed inside the PbSe micro crystals causing then the promotion of electrons from the valence band to the conduction band. Even though it has been extensively studied, the mechanisms responsible of its high detectivity at room temperature are not well understood. What is widely accepted is that the material and the polycrystalline nature of the active thin film play a key role in both the reduction of the Auger mechanism and the reduction of the dark current associated with the presence of multiple intergrain depletion regions and potential barriers inside the polycrystalline thin films.
Термоэлектрические свойства
Селенид свинца является термоэлектрическим материалом. Алексевой и ее коллегами из Института А. Ф. Иоффе в России этот материал был определен как перспективный высокотемпературный термоэлектрик при легировании натрием или хлором. Последующие теоретические исследования, проведенные в Национальной лаборатории Оук-Ридж (США), показали, что его p-тип характеристики могут быть равны или превосходить характеристики родственного соединения – теллурида свинца. С тех пор несколько исследовательских групп сообщили о термоэлектрических добротностях (ZT), превышающих единицу, что является признаком высокоэффективного термоэлектрика.
Lead selenide is a thermoelectric material. The material was identified as a potential high temperature thermoelectric with sodium or chlorine doping by Alekseva and co workers at the A. F. Ioffe Institute in Russia. Subsequent theoretical work at Oak Ridge National Laboratory, USA predicted that its p type performance could equal or exceed that of the sister compound, lead telluride. Several groups have since reported thermoelectric figures of merit exceeding unity, which is the characteristic of a high performance thermoelectric.
Производство инфракрасных детекторов PbSe
Для изготовления инфракрасных детекторов на основе PbSe обычно применяются два метода.
Two methods are commonly used to manufacture infrared detectors based on PbSe.
Химическая ванна осаждения (CBD)
Стандартным методом производства является химическое осаждение из раствора (CBD). Он был разработан в США в 1960-х годах и основан на осаждении активного материала на подложку, помещенную в контролируемую ванну с селеномочевиной, ацетатом свинца, йодидом калия и другими соединениями. Метод CBD широко использовался в течение последних десятилетий и до сих пор применяется для изготовления инфракрасных детекторов PbSe. Из-за технологических ограничений, связанных с этим методом, в настоящее время наибольший коммерчески доступный формат детектора PbSe, изготовленного методом CBD, – это линейный массив 1x256 элементов.
Chemical bath disposition (CBD) is the standard manufacturing method. It was developed in USA during the '60s and is based on the precipitation of the active material on a substrate rinsed in a controlled bath with selenourea, lead acetate, potassium iodine and other compounds. CBD method has been extensively used during last decades and is still used for processing PbSe infrared detectors. Because of technological limitations associated to this method of processing, nowadays the biggest CBD PbSe detector format commercialized is a linear array of 1x256 elements.
Осаждение в паровой фазе (VPD)
Этот метод обработки основан на нанесении активного материала методом термического испарения с последующей термической обработкой. Он обладает неотъемлемым преимуществом перед методом химического осаждения из раствора (CBD), заключающимся в совместимости с предварительно обработанными подложками, такими как кремниевые пластины, изготовленные по CMOS-технологии, и возможности создания сложных детекторов, например, фокальных плоскостных матриц для матричных сенсоров. Фактически, это стало важнейшим достижением за последние десятилетия в производстве детекторов PbSe, поскольку позволило внедрить эту технологию на рынок неохлаждаемых камер высокого разрешения в среднем инфракрасном диапазоне (MWIR) с высокой частотой кадров и сниженной стоимостью.
This processing method is based on the deposition of the active material by thermal evaporation, followed by thermal treatments. This method has an intrinsic advantage compared with the CBD method, which is the compatibility with preprocessed substrates, like silicon CMOS technology wafers, and the possibility of processing complex detectors, such as the focal plane arrays for imagers. In fact, this has been the most important milestone in the last decades concerning the manufacturing of PbSe detectors, as it has opened the technology to the market of uncooled MWIR high resolution imaging cameras with high frame rates and reduced costs.
Фотодетекторы на основе квантовых точек PbSe
Селенид триоктилфосфина и ацетат свинца реагируют с образованием нанофазного селенида свинца. Нанокристаллы селенида свинца, внедрённые в различные материалы, могут использоваться как квантовые точки, например, в нанокристаллических солнечных элементах.
Trioctylphosphine selenide and lead acetate react to produce nanophase lead selenide. Lead selenide nanocrystals embedded into various materials can be used as quantum dots, for example in nanocrystal solar cells.