Жорес Алферов: Нобель сыйлықты физик және жартылай өткізгіш гетероқұрылымдардың пионері
Zhores Alferov
Жорес Алферов (1930-2019) – советтік және ресейлік физик, Нобель сыйлықтың лауреаты. Гетероқұрылым физикасын дамытуға үлкен үлес қосты, оптоэлектроникадағы жаңа технологияларға негіз салды.
Ағылшыншамен салыстырыңыз: абзацты басыңыз — түпнұсқа терезеде ашылады. Абзац астындағы EN түймесі оны мәтін ішінде көрсетеді.
Мазмұны
Кіріспе
Жорес Иванович Альферов (1930–2019) – кеңестік және ресейлік физик, академик, қазіргі заманғы гетероструктуралық физика мен электрониканың қалыптасуына зор үлес қоскан ғалым. Ол 2000 жылы оптоэлектроникаға арналған жартылай өткізгіш гетероқосымын жасағаны үшін физика саласындағы Нобель сыйлығын бөлісіп алды. Сонымен қатар, ол өмірінің соңында саясатқа қатысып, 1995 жылдан бастап Ресей Федерациясы Мемлекеттік Думасының төменгі палатасында Коммунистік партия мүшесі ретінде қызмет етті.
Soviet Russian physicist (1930–2019)
Zhores Ivanovich Alferov (; ; 15 March 19301 March 2019) was a Soviet and Russian physicist and academic who contributed significantly to the creation of modern heterostructure physics and electronics. He shared the 2000 Nobel Prize in Physics for the development of the semiconductor heterojunction for optoelectronics. He also became a politician in his later life, serving in the lower house of the Russian parliament, the State Duma, as a member of the Communist Party from 1995.
Ерте өмір және білім
Алферов Витебск қаласында, Белоруссия КСР, Кеңес Одағында, орыс әкесі Иван Карпович Алферов, фабрика директоры, және еврей анасы Анна Владимировна Розенблумның отбасында дүниеге келген. Ол француз социалисті Жан Жорестің құрметіне осы атпен аталып, ағасы Карл Маркстың құрметіне Маркс деп аталған. Алферов 1987 жылдан бастап Иоффе институтының директоры қызметін атқарды. Бұл жазық жартылай өткізгіш күшейткіштер қазіргі кезде транзисторлар деп аталады. Алферовтың ғылыми еңбегіне германий диодтарын түзетуші ретінде қолдану жұмыстары кірді. 1960 жылдардың басында Альферов жартылай өткізгіш гетероструктураларын жасау үшін Иоффе институтында жұмыстарды ұйымдастырды. Жартылай өткізгіш гетерожункциялық транзисторлар бұрынғы гоможункциялық транзисторларға қарағанда жоғары жиілікте жұмыс істеуге мүмкіндік берді, және бұл мүмкіндік қазіргі заманғы ұялы телефондар мен спутниктік байланыстарда маңызды рөл атқарады. Альферов және оның әріптестері GaAs және AlAs III V гетероқосылыстарында жұмыс істеді. Ерекше назар бөлме температурасында лазерлік сәуле шығаратын жартылай өткізгіш лазерлерді жасау үшін гетероқосылымдарды пайдалануға бөлінді. 1963 жылы Альферов екі еселі гетероструктуралы лазерлерді ұсынатын патенттік өтінімді берді; Герберт Кромер бірнеше айдан кейін АҚШ-та патент алды. 1966 жылы Альферовтың зертханасы гетероструктуралар негізінде жасалған алғашқы лазерлерді құрды, бірақ олар үздіксіз лазерлік сәуле шығармады. 1968 жылы Альферов және оның әріптестері бөлме температурасында үздіксіз толқынды жартылай өткізгіш гетероқосылмалы лазерді жасады. Осы еңбегі үшін Альферов Герберт Кромермен бірге 2000 жылы физика саласындағы Нобель сыйлығын алды, "жоғары жылдамдықты және оптоэлектроникада қолданылатын жартылай өткізгіш гетероструктураларын жасағаны үшін". 1960-1970 жылдары Альферов Иоффе институтындағы зертханасында жартылай өткізгіш гетероқұрылымдардың физикасы мен технологиясы бойынша жұмысын жалғастырды. Альферовтың жартылай өткізгіштердің инъекциялық қасиеттерін зерттеуі және лазерлерді, күн батареяларын, светодиодтарды (LED) және эпитаксия процестерін дамытуға қосқан үлесі қазіргі заманғы гетерожункциялық физика мен электрониканың қалыптасуына әкелді. Альферов гетероқұрылымдарды өте маңызды деп есептеді, оның сөзімен: "Көптеген ғалымдар осы керемет прогреске үлес қосты, бұл тек қатты дене физикасының болашақ перспективаларын ғана анықтамайды, сонымен қатар белгілі бір дәрежеде адамзат қоғамының болашағына да әсер етеді".
Alferov was born in Vitebsk, Byelorussian SSR, Soviet Union, to a Russian father, Ivan Karpovich Alferov, a factory manager, and a Jewish mother, Anna Vladimirovna Rosenblum. He was named after French socialist Jean Jaurès while his older brother was named Marx after Karl Marx. Alferov then served as the director of the Ioffe Institute from 1987 These planar semiconductor amplifiers would be referred to as transistors in the present day. Alferov's contribution included work on germanium diodes for use as a rectifier. In the early 1960s, Alferov organized an effort at Ioffe Institute to develop semiconductor heterostructures. Semiconductor heterojunctions transistors enabled higher frequency use than their homojunction predecessors, and this capability plays a key role in modern mobile phone and satellite communications. Alferov and colleagues worked on GaAs and AlAs III V heterojunctions. A particular focus was the use of heterojunctions to create semiconductor lasers capable of lasing at room temperature. In 1963, Alferov filed a patent application proposing double heterostructure lasers; Herbert Kroemer independently filed a US patent several months later. In 1966, Alferov's lab created the first lasers based on heterostructures, although they did not lase continuously. Then in 1968, Alferov and coworkers produced the first continuous wave semiconductor heterojunction laser operating at room temperature. It was for this work that Alferov received the 2000 Nobel Prize in Physics together with Herbert Kroemer, "for developing semiconductor heterostructures used in high speed and optoelectronics". In the 1960s and 1970s Alferov continued his work on the physics and technology of semiconductor heterostructures in his lab at the Ioffe Institute. Alferov's investigations of injection properties of semiconductors and his contributions to the development of lasers, solar cells, LEDs, and epitaxy processes, led to the creation of modern heterojunction physics and electronics. Alferov had an almost messianic conception of heterostructures, writing: "Many scientists have contributed to this remarkable progress, which not only determines in large measure the future prospects of solid state physics but in a certain sense affects the future of human society as well."
Ғылыми басқару
1987 жылы Алферов Иоффе институтының бесінші директоры болды. 1989 жылы Алферов Ленинград ғылыми орталығының төрағасы болды, бұл орталық қазір Санкт-Петербург ғылыми орталығы деп аталады. Ленинград облысында бұл ғылыми орталық 70 мекеме, ұйым, кәсіпорын және ғылыми қоғамды біріктіретін бас ұйым болып табылады.
In 1987, Alferov became the fifth director of the Ioffe Institute. In 1989, Alferov gained the administrative position of chairman of the Leningrad Scientific Center, now referred to as the St. Petersburg Scientific Center. In the Leningrad region, this scientific center is an overarching organization comprising 70 institutions, organizations, enterprises, and scientific societies.
Коммерциялық емес қызмет
Алферов CRDF Global кеңесші кеңесінде қызмет етті.
Alferov served on the advisory council of CRDF Global.
Ауру және өлім
2018 жылдың қарашасынан бері Альферов қантөкпеден (гипертониялық дағдарыстан) зардап шекті. Ол 2019 жылдың 1 наурызында 88 жасында дүние салды.
Since November 2018, Alferov suffered from hypertensive emergency. He died at the age of 88 on 1 March 2019.
Жеке өмір
Алферовтың әйелі Тамара Дарская аталды. Олардың екі баласы болды – ұлы Иван және қызы Ольга. Ол Ресейде діннің ықпалын күшейтуге қарсы Ресей Ғылым академиясының мүшелерінің президент Владимир Путинге жазған ашық хатына қол қойғандардың бірі еді.
Alferov's wife was named Tamara Darskaya. Together they had two children, a son Ivan and a daughter Olga. He was one of the signers of the open letter to President Vladimir Putin from members of the Russian Academy of Sciences against clericalisation of Russia.