Кіріспе

Электрондардың қатты дене арқылы энергия жоғалтпай қаншалықты алыс өтуінің индексі Эластикалық орташа еркін жол (IMFP) - бұл электрондардың қатты дене арқылы энергия жоғалтпай қаншалықты алыс өтуінің индексі. [[Сурет:E IMFP universal en. svg тегеректегі омыртқаның төменгі жағы Бастапқы электронның интенсивтілігі , қатты денеге d қашықтығының функциясы ретінде байытылады. Интенсивті ыдырау келесідей сипатталуы мүмкін: мұнда I ((d) - негізгі электронды сәуле қатты дене арқылы d қашықтыққа жеткеннен кейінгі интенсивтілік. λ (((E) параметрі, инеластикалық орташа еркін жол (IMFP) деп аталады, оның интенсивтілігі 1/[[E (математикалық тұрақты) бастапқы мәнінен бұрын жүре алатын қашықтық ретінде анықталады. (Бұл теңдеудің Beer-Lambert заңымен тығыз байланысты екенін ескеріңіз.) Электрондардың эластикалық емес орташа еркін жолын барлық материалдар үшін бірдей болатын әмбебап қисықпен сипаттауға болады. IMFP-ті білу бірнеше электронды спектроскопия және микроскопиялық өлшеулер үшін өте қажет.

IMFP-нің XPS-те қолданылуы

IMFP кейіннен тиімді әлсірету ұзындығын (EAL), орташа құтылу тереңдігін (MED) және ақпарат тереңдігін (ID) есептеу үшін қолданылады. Сонымен қатар, IMFP-ті кванттық беттік талдаудағы салыстырмалы сезімталдылық коэффициентіне матрицалық түзетулер жасауға пайдалануға болады. Сонымен қатар, IMFP материядағы фотоэлектрон тасымалының Монте-Карло симуляцияларында маңызды параметр болып табылады.

IMFP есептеулері

IMFP есептеулері көбінесе Пенн әзірлеген алгоритмге (толық Пенн алгоритмі, FPA), эксперименталды оптикалық тұрақтыларға немесе есептелетін оптикалық деректерге (қосылмалар үшін) негізделеді. Бұл әдіс белгілі бір энергиямен сыйымдылықпен кері таралған электрондардың күшін өлшеуге арналған. IMFP белгілі материалдарға ұқсас әдісті қолдану арқылы өлшемдер Монте-Карло симуляцияларының нәтижелерімен бірдей жағдайларда салыстырылады. Осылайша, белгілі бір энергия спектріндегі белгілі бір материалдың IMFP-ін алады. EPES өлшеулері теориялық күтілетін мәндерден 12% -дан 17% -ға дейінгі квадраттық орташа түбір (RMS) айырмашылығын көрсетеді. 100 эВ-тан төмен энергия үшін IMFP жоғары энергиялы екінші электронды өнімділік (SEY) эксперименттерінде бағалануы мүмкін. Сондықтан, 0,1 кВ мен 10 кВ аралығындағы кез келген кездейсоқ энергияның SEY-і талданады. Бұл эксперименттерге сәйкес, Монте-Карло моделін SEY-ді симуляциялау және 100 eV-тан төмен IMFP-ді анықтау үшін пайдалануға болады.