Кіріспе

Электронның қатты (кристалл) фазасы.

Вигнер кристалы — 1934 жылы Юджин Вигнер алғаш болжаған электронның қатты (кристалл) фазасы. Біркелкі, инертті, бейтараптандыратын ортада (яғни Желлиум моделі) қозғалатын электрондар газы, электрон тығыздығы белгілі бір шекті мәннен төмен болғанда кристалданып, тор құрайды. Бұл потенциалдық энергия төмен тығыздықта кинетикалық энергиядан басымдық танытуының салдарынан туындайды, сондықтан электрондардың кеңістіктегі нақты орналасуы маңызды болады. Потенциалдық энергияны азайту үшін электрондар 3D кеңістікте денеге орталықтандырылған кубикалық (bcc) тор, 2D кеңістікте үшбұрышты тор, ал 1D кеңістікте тегіс орналасқан тор түзеді. Көптеген тәжірибелік Вигнер кластерлерінің пайда болуы сыртқы шектеудің, яғни сыртқы потенциалдық тұзақтың болуымен байланысты. Осының салдарынан, денеге орталықтандырылған кубикалық (bcc) немесе үшбұрышты тордан ауытқулар байқалады. 2D электрондық газдың кристаллдық күйіне жеткілікті күшті магнит өрісін қолдану арқылы да қол жеткізуге болады. Алайда, 2D электрондық жүйелердегі магнитотранспортты өлшеуде оқшаулану қасиеттерінің байқалуына Вигнер кристалдануы себеп болды ма, әлде Андерсон локализациясы сияқты басқа факторлар ықпал етті ме, әлі анық емес. Жалпы, Вигнер кристалл фазасы төмен тығыздықтағы электрондық емес жүйелерде кездесетін кристалл фазасын да білдіруі мүмкін. Керісінше, көптеген кристаллдар тығыздығы төмендегенде еруге бейім. Лабораторияда зарядталған коллоидтар немесе зарядталған пластикалық шарлар мысал ретінде келтіріледі.

Эксперименттік іске асыру

Іс жүзінде Вигнер кристалын тәжірибе жүзінде жүзеге асыру қиын, өйткені кванттық механикалық флуктуациялар Кулондық керілуді басып, жылдам тәртіпсіздікке әкеледі. Электрондардың төмен тығыздығы қажет. Бірнеше айқын мысалдардың бірі – төмен электрондық тығыздығы немесе жоғары магниттік өрісі бар кванттық нүктелерде, электрондар кейбір жағдайларда спонтанды түрде локалданып, «Вигнер молекуласы» деп аталатын, кванттық нүктенің шекті өлшеміне бейімделген кристалл тәрізді күйді құрайды. Жоғары магниттік өрістерде екі өлшемді электрондық газдың Вигнер кристалдануы ең төменгі Ландау деңгейінің кішкентай толтыру факторлары үшін болжанып, тәжірибелік түрде расталған. Үлкен бөлшектік толтырулар үшін Вигнер кристалы бөлшектік кванттық Холл эффекті (FQHE) сұйық күйлеріне қатысты тұрақсыз деп есептелді. Үлкен бөлшектік толтырудың жақын маңында Вигнер кристалы байқалды, бұл ең төменгі Ландау деңгейіндегі кванттық сұйық пен бекітілген қатты фазалар арасындағы өзара әрекеттесуді түсінуге жаңа көзқарас (айналмалы Вигнер молекуласының бекітілуіне негізделген) әкелді. Вигнер кристалының тағы бір тәжірибелік реализациясы өте төмен токпен жұмыс істейтін бір электронды транзисторларда орын алды, онда 1D Вигнер кристалы пайда болды. Әрбір электронға тиесілі ток эксперименттік түрде тікелей анықталуы мүмкін. Сонымен қатар, кванттық сымдарды (қысқа кванттық сымдар кейде «кванттық нүктелік контактілер» (QPC) деп аталады) қолданатын эксперименттер 1D жүйелерде Вигнер кристалдануы мүмкіндігін көрсетті. Hew және әріптестері жүргізген экспериментте 1D арна электрондардың электрондық тасымалдау бағыттарындағы шектеу арқылы, GaAs/AlGaAs гетерожүйесінің энергиялық жолақ құрылымы және QPC потенциалы арқылы қалыптастырылды. Бұл құрылымдық шешім 1D арнадағы электрондық тығыздықты көлденең шектеу потенциалының күшіне салыстырмалы түрде тәуелсіз өзгертуге мүмкіндік берді, соның нәтижесінде электрондар арасындағы Кулондық өзара әрекеттесу кинетикалық энергиядан басым болатын жағдайда эксперименттер жүргізілді. QPC арқылы өткізгіштік өткізгіштік квантының бірліктерімен кванталған платолар сериясын көрсетеді – 2e²/h. Алайда, бұл экспериментте бірінші платоның жоғалуы тіркелді (өткізгіштіктің 4e²/h-қа секіруіне әкелді), бұл екі параллель электрондық қатардың пайда болуымен байланысты. Қатаң түрде 1D жүйеде электрондар бір-бірінен тең қашықтықта орналасқан, яғни 1D Вигнер кристалы. Электрондық тығыздық артқан сайын Кулондық керілеу 1D Вигнер кристалын көлденең бағытта шектейтін электростатикалық потенциалды жеңу үшін жеткілікті болады, нәтижесінде электрондардың екі қатарлы құрылымға жақтық қайта орналасуына әкеледі. Hew және әріптестері байқаған екі қатардың болуы 1D жүйеде Вигнер кристалының пайда болуының бастапқы белгісі болуы мүмкін. 2018 жылы заряд пен спинді анықтауды біріктіретін көлденең магниттік фокус 1D кванттық сымдарда Вигнер кристалын және оның спиндік қасиеттерін тікелей зерттеу үшін қолданылды. Бұл зигзаг тәрізді Вигнер кристалдануының табиғатын тікелей дәлелдеуді және оның құрылымдық және спиндік фазалық диаграммаларын ашу арқылы жақсырақ түсінуді қамтамасыз етті. 2019 жылы кішкентай Вигнер кристалдарының пайда болуына тікелей дәлелдер ұсынылды. 2024 жылы физиктер сканерлік туннельдік микроскоппен Вигнер кристалын тікелей бейнелеуге қол жеткізді.

Вигнер кристалл материалдары

Кейбір қабатты Ван дер Ваальс материалдары, мысалы, өтпелі металл дихалькогенидтері, өзінен-өзі үлкен rs мәндеріне ие, олар 2D теориялық Вигнер кристаллының шегі rs=31~38-ден асады. Үлкен rs мәнінің пайда болуы ішінара полярлық жолақты тарылтатын күшті электрон-фонон өзара әрекеттесуден туындайтын, қысылған кинетикалық энергияға, ал ішінара төмен температурадағы n тасымалдаушы тығыздығының төмен болуына байланысты. Мұндай материалдардағы, мысалы 1T TaS2-дегі, сиректеу толтырылған √13x√13 суперрешеті және rs=70~100 мәніне ие зарядты тығыздық толқыны (CDW) күйі, дәстүрлі зарядты тығыздық толқынына қарағанда Вигнер кристаллы тұрғысынан жақсы сипатталатындығы қарастырылады. Бұл көзқарас модельдеу және жүйелі сканерлеуші туннельдік микроскопиялық өлшемдермен расталады. Осылайша, CDW жүйелеріндегі Вигнер кристалды суперрешеттері өзара Кулондық өзара әрекеттесу арқылы локалданып, реттелген электрондық күйлердің алғашқы тікелей байқалуы болып есептелуі мүмкін. Бұл үшін маңызды критерий – зарядтың модуляциясының тереңдігі, ол материалға байланысты, және тек rs теориялық шектен асып түскен жүйелер ғана Вигнер кристалдары деп есептелуі керек. 2020 жылы микроскопия арқылы байқалған Вигнер кристаллының тікелей суреті молибден диселениді/молибден дисульфиді (MoSe2/MoS2) моаре гетероқұрылымдарында алынды. 2021 жылғы тәжірибеде молибден диселенидінің моноқабатты қабатын пайдаланып, электрондарды шектеу арқылы 0K-қа жуық Вигнер кристаллы жасалды. Қабат екі графен электродының арасына орналастырылып, кернеу қолданылды. Электрондардың арақашықтығы шамамен 20 нанометрді құрады, бұл жарықпен қоздырылған экситонның тұрақты көрінуі арқылы өлшенді. 2021 жылғы тағы бір тәжірибеде кванттық Вигнер кристалдары туралы хабарланды, онда кванттық флуктуациялар ешқандай магнит өрісі жоқ молибден диселенидінің екі қабатты құрылымындағы жылулық флуктуациядан басым. Зерттеушілер осы тәжірибеде Вигнер кристаллының жылулық және кванттық балқуын тіркеді.