Сравнивайте с английским: нажмите на абзац — оригинал откроется в окне. Кнопка EN под абзацем показывает его прямо в тексте.
Содержание
Введение
Изменение сопротивления, вызванное магнитным воздействием
Magnetically induced resistance change
Магниторезистентность – это способность материала (часто ферромагнитного) изменять значение своего электрического сопротивления в присутствии внешнего магнитного поля. Существует множество эффектов, которые можно отнести к магниторезистентности. Некоторые из них наблюдаются в объемных немагнитных металлах и полупроводниках, таких как геометрическая магниторезистентность, осцилляции Шубникова — де Хааса или обычная положительная магниторезистентность в металлах. Другие эффекты возникают в магнитных металлах, например, отрицательная магниторезистентность в ферромагнетиках или анизотропная магниторезистентность (АМР). Наконец, в многокомпонентных или многослойных системах (например, в магнитных туннельных переходах) можно наблюдать гигантскую магниторезистентность (GMR), туннельную магниторезистентность (TMR), колоссальную магниторезистентность (CMR) и экстраординарную магниторезистентность (EMR). Первый магниторезистивный эффект был открыт в 1856 году Уильямом Томсоном, более известным как лорд Кельвин, однако ему не удалось уменьшить электрическое сопротивление чего-либо более чем на 5%. В настоящее время известны системы, включающие полуметаллы и концентрические кольцевые структуры EMR, в которых магнитное поле способно изменять сопротивление на несколько порядков. Поскольку различные механизмы могут влиять на сопротивление, целесообразно отдельно рассматривать случаи, когда оно зависит от магнитного поля напрямую (например, геометрическая магниторезистентность и многополосная магниторезистентность), и случаи, когда это происходит косвенно через намагниченность (например, АМР и TMR).
Magnetoresistance is the tendency of a material (often ferromagnetic) to change the value of its electrical resistance in an externally applied magnetic field. There are a variety of effects that can be called magnetoresistance. Some occur in bulk non magnetic metals and semiconductors, such as geometrical magnetoresistance, Shubnikov–de Haas oscillations, or the common positive magnetoresistance in metals. Other effects occur in magnetic metals, such as negative magnetoresistance in ferromagnets or anisotropic magnetoresistance (AMR). Finally, in multicomponent or multilayer systems (e. g. magnetic tunnel junctions), giant magnetoresistance (GMR), tunnel magnetoresistance (TMR), colossal magnetoresistance (CMR), and extraordinary magnetoresistance (EMR) can be observed. The first magnetoresistive effect was discovered in 1856 by William Thomson, better known as Lord Kelvin, but he was unable to lower the electrical resistance of anything by more than 5%. Today, systems including semimetals and concentric ring EMR structures are known. In these, a magnetic field can adjust the resistance by orders of magnitude. Since different mechanisms can alter the resistance, it is useful to separately consider situations where it depends on a magnetic field directly (e. g. geometric magnetoresistance and multiband magnetoresistance) and those where it does so indirectly through magnetization (e. g. AMR and TMR).
Открытие
Уильям Томсон (лорд Кельвин) впервые обнаружил обычный магниторезистентный эффект в 1856 году. Он экспериментировал с образцами железа и обнаружил, что сопротивление увеличивается, когда ток направлен параллельно магнитному полю, и уменьшается, когда ток направлен перпендикулярно магнитному полю. Затем он провёл аналогичный эксперимент с никелем и обнаружил, что он подвержен тому же эффекту, но его величина была больше. Этот эффект называется анизотропным магниторезистентным эффектом (АМР). В 2007 году Альберт Ферт и Петер Грюнберг совместно получили Нобелевскую премию за открытие гигантского магниторезистентного эффекта.
William Thomson (Lord Kelvin) first discovered ordinary magnetoresistance in 1856. He experimented with pieces of iron and discovered that the resistance increases when the current is in the same direction as the magnetic force and decreases when the current is at 90° to the magnetic force. He then did the same experiment with nickel and found that it was affected in the same way but the magnitude of the effect was greater. This effect is referred to as anisotropic magnetoresistance (AMR). In 2007, Albert Fert and Peter Grünberg were jointly awarded the Nobel Prize for the discovery of giant magnetoresistance.
Сноски
Второй. (Обычный) эффект Холла меняет знак при изменении направления магнитного поля и является орбитальным эффектом (не связанным со спином), обусловленным силой Лоренца. Трансверсальный АМР (планарный эффект Холла) не меняет знак и вызван спин-орбитальным взаимодействием.
1. The (ordinary) Hall effect changes sign upon magnetic field reversal and it is an orbital effect (unrelated to spin) due to the Lorentz force. Transversal AMR (planar Hall effect) does not change sign and it is caused by spin orbit interaction.