Введение

Нежелание пары электронов ns участвовать в образовании связи.
Эффект инертной пары – это тенденция двух электронов на самой внешней атомной s-орбитали оставаться несвязанными в соединениях пост-переходных металлов. Термин "эффект инертной пары" часто используется по отношению к возрастающей стабильности степеней окисления, которые на две единицы ниже групповой валентности для более тяжелых элементов групп 13, 14, 15 и 16. Термин "инертная пара" впервые был предложен Невилом Сиджвиком в 1927 году. Это название подразумевает, что внешние s-электронные пары более прочно связаны с ядром в этих атомах и, следовательно, их труднее ионизировать или использовать для образования связей. Например, p-блочные элементы 4-го, 5-го и 6-го периодов следуют за d-блочными элементами, но электроны, находящиеся на промежуточных d (и f) орбиталях, не обеспечивают эффективную защиту s-электронов валентной оболочки. В результате инертная пара ns-электронов остается более прочно удерживаемой ядром и, следовательно, в меньшей степени участвует в образовании связей.

Описание

В качестве примера рассмотрим таллий (Tl) в группе 13. Окислительное состояние +1 для Tl является наиболее стабильным, в то время как соединения Tl3+ встречаются сравнительно редко. Стабильность окислительного состояния +1 возрастает в следующей последовательности: Al+ < Ga+ < In+ < Tl+. Та же тенденция стабильности наблюдается в группах 14, 15 и 16. Самые тяжелые элементы каждой группы, то есть свинец, висмут и полоний, относительно стабильны в состояниях окисления +2, +3 и +4 соответственно. Более низкое окислительное состояние каждого из рассматриваемых элементов содержит два валентных электрона в s-орбиталях. Частичное объяснение заключается в том, что валентные электроны в s-орбитали более прочно связаны и имеют более низкую энергию, чем электроны в p-орбиталях, и поэтому менее склонны к участию в образовании химических связей. Если рассмотреть суммарные энергии ионизации (IE) (см. ниже) двух электронов в s-орбиталях (2-я и 3-я энергии ионизации), то можно заметить, что ожидается снижение от B к Al, связанное с увеличением атомного размера, однако значения для Ga, In и Tl выше ожидаемых. + Энергии ионизации для элементов группы 13 кДж/моль IE Бор Алюминий Галлий Индий Таллий 1-я 800 577 578 558 589 2-я 2427 1816 1979 1820 1971 3-я 3659 2744 2963 2704 2878 2-я + 3-я 6086 4560 4942 4524 4849 Высокая энергия ионизации (IE) (2-я + 3-я) галлия объясняется сжатием d-блока, а более высокая IE (2-я + 3-я) таллия по сравнению с индием – релятивистскими эффектами. Более высокое значение для таллия по сравнению с индием частично обусловлено влиянием сжатия лантаноидов и, как следствие, недостаточным экранированием ядерного заряда заполненными 4d и 5f подслоями. Важно учитывать, что соединения в более низком окислительном состоянии имеют ионный характер, в то время как соединения в более высоком окислительном состоянии склонны к ковалентности. Следовательно, необходимо учитывать ковалентные эффекты. Альтернативное объяснение эффекта инертной пары, предложенное Драго в 1958 году, связывало этот эффект с низкими энергиями разрыва связей M–X для тяжелых p-элементов и тем фактом, что для окисления элемента до низкой степени окисления требуется меньше энергии, чем до более высокой. Эта энергия должна обеспечиваться ионными или ковалентными связями, поэтому, если связь с конкретным элементом слаба, высокая степень окисления может быть недоступна. Дальнейшие исследования с учетом релятивистских эффектов подтверждают это. В случае групп 13–15 эффект инертной пары был дополнительно объяснен «уменьшением энергии связи с увеличением размера от Al к Tl, так что энергия, необходимая для вовлечения s-электрона в связь, не компенсируется энергией, выделяющейся при образовании двух дополнительных связей». Стерическая активность неподеленной электронной пары долгое время считалась обусловленной наличием некоторого p-характера у орбитали, то есть орбиталь не является сферически симметричной. Другой пример – некоторые соли таллия(I), где асимметрия была объяснена взаимодействием s-электронов на Tl с антисвязывающими орбиталями.