Введение

Математическое описание в кристаллографии В физике конденсированной материи и кристаллографии статический фактор структуры (или коротко фактор структуры) - это математическое описание того, как материал рассеивает падающее излучение. Фактор структуры является важнейшим инструментом в интерпретации моделей рассеяния (интерференционных моделей), полученных в рентгеновских, электронных и нейтронных дифракционных экспериментах. Вызывает путаницу то, что используются два различных математических выражения, оба называются "структурным фактором". Одно из них обычно пишется как; это более общее значение, и связывает наблюдаемую дифракционную интенсивность на атом с интенсивностью, производимой единицей рассеяния. Другой обычно записывается или и действителен только для систем с длинным диапазоном позиционного порядка кристаллов. Это выражение соотносит амплитуду и фазу луча, дифрактируемого плоскостями кристалла (это индексы Миллера плоскостей), с той, которая производится единицей рассеяния на вершинах примитивной единичной ячейки. не является особым случаем ; дает интенсивность рассеяния, но дает амплитуду. Это модуль квадрата, который дает интенсивность рассеяния. определяется для идеального кристалла и используется в кристаллографии, в то время как наиболее полезна для беспорядочных систем. Для частично упорядоченных систем, таких как кристаллические полимеры, очевидно, есть перекрытие, и эксперты будут переключаться от одного выражения к другому по мере необходимости. Коэффициент статической структуры измеряется без разрешения энергии рассеянных фотонов/электронов/нейтронов. Измерения с энергетическим разрешением дают коэффициент динамической структуры.

Кристальная структура цинкбленды

Структура цинк-бленды похожа на структуру алмаза, за исключением того, что она представляет собой соединение двух различных взаимно проникающих решётков fcc, а не одного и того же элемента. Обозначая два элемента в соединении и , полученный коэффициент структуры

Идеальные кристаллы в одном и двух измерениях

Реципрочная решетка легко построена в одном измерении: для частиц на прямой с периодом , решетка является бесконечным массивом точек с расстоянием. В двух измерениях существует только пять решеток Брэва. Соответствующие взаимные решетки имеют ту же симметрию, что и прямые решетки. 2D решетки отлично подходят для демонстрации простой дифракционной геометрии на плоском экране, как показано ниже. Уравнения (1) 7) для структурного фактора применяются с вектором рассеяния ограниченной размерности, и кристаллографический структурный фактор может быть определен в 2D как Однако, напомним, что реальные 2D кристаллы, такие как графен, существуют в 3D. Взаимная решетка 2D шестиугольного листа, которая существует в 3D пространстве в плоскости, представляет собой шестиугольный массив линий, параллельных оси, которые простираются и пересекают любую плоскость константы в шестиугольном массиве точек. На рисунке показана конструкция одного вектора 2D-реципрочной решетки и ее отношение к эксперименту рассеяния. Параллельный луч, с волновым вектором, падающим на квадратную решетку параметра Рассеянная волна обнаруживается под определенным углом, который определяет волновой вектор исходящего луча (при предположении эластичного рассеяния). Можно также определить вектор рассеивания и построить гармоническую модель В изображенном примере расстояние этой модели совпадает с расстоянием между рядами частиц: , так что вклад в рассеивание от всех частиц находится в фазе (конструктивная интерференция). Таким образом, общий сигнал в направлении силен и принадлежит к взаимной решетке. Легко показать, что эта конфигурация соответствует закону Брэгга.

Несовершенные кристаллы

Технически, идеальный кристалл должен быть бесконечным, так что конечный размер - это несовершенство. Настоящие кристаллы всегда демонстрируют несовершенство своего порядка, помимо их конечного размера, и эти несовершенства могут оказать глубокое влияние на свойства материала. Андре Гиньер предложил широко применяемое различие между несовершенствами, которые сохраняют длительный порядок кристалла, который он назвал беспорядком первого типа, и теми, которые разрушают его, называемым беспорядком второго типа. Примером первого является тепловая вибрация; пример второго - некоторая плотность дислокаций. Для включения в состав составляющую любого несовершенства можно использовать общепринятый фактор структуры. В кристаллографии эти эффекты рассматриваются как отдельные от структурного фактора, поэтому отдельные факторы для размера или термических эффектов вводятся в выражения для рассеянной интенсивности, оставляя совершенный фактор структуры кристалла без изменений. Поэтому подробное описание этих факторов в моделировании кристаллографической структуры и определении структуры дифракцией не уместно в этой статье.

Эффекты конечного размера

Для конечного кристалла означает, что суммы в уравнениях 17 теперь превышают конечный эффект наиболее легко продемонстрировано с помощью 1D решетки точек. Сумма фазовых факторов представляет собой геометрический ряд, а структурный фактор становится: Эта функция показана на рисунке для различных значений Когда рассеяние от каждой частицы находится в фазе, то есть когда рассеяние находится в взаимной точке решетки, сумма амплитуд должна быть и, таким образом, максимумы в интенсивности. В средней точке (по прямой оценке) ширина пика уменьшается, как в большом пределе, пики становятся бесконечно острыми дельта-функциями Дирака, взаимной решеткой идеальной 1D решетки. В кристаллографии, когда используется, является большим, и формальный эффект размера на дифракцию принимается как , что то же самое, что и выражение для выше близких к взаимным точкам решетки, Используя свёртывание, мы можем описать конечную реальную кристаллическую структуру как [решетки] [базис] прямоугольная функция, где прямоугольная функция имеет значение 1 внутри кристалла и 0 за его пределами. Тогда [кристаллическая структура] = [решетка] [основа] [прямоугольная функция]; то есть, рассеивание [обратная решетка] [фактор структуры] [синк функция]. Таким образом, интенсивность, которая является дельта-функцией положения для идеального кристалла, становится функцией вокруг каждой точки с максимальной шириной области.

Идеальный газ

В предельном случае отсутствия взаимодействия система является идеальным газом, а фактор структуры полностью лишен признаков: , потому что нет корреляции между положениями и различных частиц (они являются независимыми случайными переменными), поэтому вне диагональных членов уравнения в среднем до нуля: .

Высокий предел

Даже для взаимодействующих частиц, при высоком векторе рассеяния коэффициент структуры становится 1. Этот результат следует из уравнения , поскольку является преобразованием Фурье "регулярной" функции и, таким образом, идет к нулю для высоких значений аргумента. Это рассуждение не имеет значения для идеального кристалла, где функция распределения демонстрирует бесконечно острые пики.

Жидкости с твердой сферой

В модели твердой сферы частицы описываются как непроницаемые сферы с радиусом; таким образом, их центр к центру расстояние и они не испытывают никакого взаимодействия за пределами этого расстояния. Их потенциал взаимодействия может быть записан как: Эта модель имеет аналитическое решение в приближении Percus Yevick. Хотя она очень упрощена, она дает хорошее описание систем, начиная от жидких металлов и заканчивая коллоидными суспензиями. На рисунке показана иллюстрация структурного фактора для твердой сферической жидкости для объемных долей от 1% до 40%.

Полимеры

В полимерных системах общее определение имеет значение; элементарными составляющими являются мономеры, составляющие цепочки. Однако, поскольку структурный фактор является мерой корреляции между положениями частиц, можно разумно ожидать, что эта корреляция будет различной для мономеров, принадлежащих к одной цепи или к различным цепям. Предположим, что объем содержит идентичные молекулы, каждая из которых состоит из мономеров, таких, что (также известна как степень полимеризации). Мы можем переписать как: где индексы маркируют различные молекулы и различные мономеры вдоль каждой молекулы. С правой стороны мы разделили внутримолекулярные и межмолекулярные термины. Используя эквивалентность цепей, можно упростить: где фактор структуры одной цепи.