Введение

Кристаллографический дефект; атом, отсутствующий в узле решетки

В кристаллографии вакансия – это тип точечного дефекта в кристалле, при котором атом отсутствует в одном из узлов решетки. Кристаллы по своей природе обладают несовершенствами, иногда называемыми кристаллографическими дефектами. Вакансии естественным образом возникают во всех кристаллических материалах. При любой температуре, вплоть до точки плавления материала, существует равновесная концентрация (отношение числа вакантных узлов решетки к общему числу узлов, занятых атомами). Эта температурная зависимость может быть описана следующим образом:

где Nv – концентрация вакансий, Qv – энергия, необходимая для образования вакансии, kB – постоянная Больцмана, T – абсолютная температура, а N – концентрация узлов решетки, то есть

где m – масса, NA – постоянная Авогадро, а M – молярная масса. Это самый простой точечный дефект. В данной системе атом отсутствует в своем обычном положении в решетке. Вакансии формируются в процессе затвердевания вследствие колебаний атомов, локальной перегруппировки атомов, пластической деформации и ионной бомбардировки. Образование вакансии можно смоделировать, рассмотрев энергию, необходимую для разрыва связей между атомом внутри кристалла и его ближайшими соседями. После удаления атома из узла решетки он оказывается на поверхности кристалла, и часть энергии возвращается, поскольку формируются новые связи с другими атомами на поверхности. Однако, наблюдается чистый прирост энергии, так как число связей между поверхностными атомами меньше, чем между атомами внутри кристалла.

Физика материалов

В большинстве применений дефекты в виде вакансий не влияют на целевое назначение материала, поскольку их количество слишком мало или они распределены в многомерном пространстве таким образом, что сила или заряд могут обходить вакансию. Однако, в случае более ограниченных структур, таких как углеродные нанотрубки, вакансии и другие кристаллические дефекты могут существенно снижать прочность материала.