Темы

Производство полупроводников

Semiconductor Fabrication · 51 статей

  1. Химическое осаждение из газовой фазы: методы и применение.

    Химическое осаждение из газовой фазы (CVD): метод получения высококачественных тонких плёнок для микроэлектроники и полупроводников. Описание процесса.

    #1339 · 5 мин чтения

  2. Плазменная очистка полупроводниковых пластин: методы и проблемы.

    Плазменная очистка в производстве полупроводников: удаление фоторезиста плазмой (O2, F2, N2/H2). Эффективное удаление отходов вакуумным насосом.

    #5640 · 2 мин чтения

  3. Фотолитография в микроэлектронике и микрофабрикации

    Фотолитография в микроэлектронике: процесс переноса рисунка на кремниевую пластину с помощью света. Ключевой этап производства интегральных схем.

    #5649 · 16 мин чтения

  4. Кремниевые пластины для микроэлектроники и солнечных элементов

    Кремниевые пластины (wafers) – основа для производства микросхем и солнечных батарей. Узнайте о технологиях изготовления, обработке и применении полупроводниковых пластин.

    #9847 · 8 мин чтения

  5. Зонная плавка: метод очистки и совершенствования кристаллов

    Зонная плавка: очистка кристаллов для полупроводников. Метод позволяет достичь сверхчистоты материалов, концентрируя примеси в расплаве. Разработка Bell Labs.

    #52186 · 4 мин чтения

  6. Метод выращивания кристаллов Чохральского

    Метод Чохральского: выращивание монокристаллов кремния, германия и других материалов для электроники. Основан на открытии Яна Чохральского (1915).

    #53026 · 4 мин чтения

  7. Нанокристаллический кремний: свойства, применение и перспективы.

    Нанокристаллический кремний (nc-Si): структура, свойства и отличия от аморфного и поликристаллического кремния. Паракристаллическая форма кремния.

    #57608 · 2 мин чтения

  8. Тонкоплёночные транзисторы: технологии и материалы

    Тонкопленочные транзисторы (TFT): технология, применение в LCD-дисплеях, особенности производства на подложках (стекло). Ключевые параметры и материалы.

    #58048 · 6 мин чтения

  9. Эпитаксиальный рост кристаллов и его зависимость от подложки

    Эпитаксия: рост кристаллов на подложке с определенной ориентацией. Ключевые аспекты: структура, ориентация решетки, формирование слоев. 🔬✨

    #100475 · 5 мин чтения

  10. Эпитаксия пучковых молекул: рост кристаллов и современные применения.

    Эпитаксия пучками молекул (MBE): выращивание монокристаллов для полупроводников, транзисторов, лазеров и нанотехнологий. Основы метода от К.Г. Гюнтера.

    #100527 · 4 мин чтения

  11. Фотолитографические маски: типы, материалы и эволюция технологий.

    Фотомаски для фотолитографии: создание микросхем и интегральных цепей. Разновидности масок, включая криволинейные, и их роль в производстве чипов.

    #128578 · 6 мин чтения

  12. Иммерсионная литография: технология с использованием воды

    Иммерсионная литография: технология производства микрочипов с использованием воды между линзой и пластиной для повышения точности и разрешения.

    #128584 · 3 мин чтения

  13. Кремний на сапфире: технология и применение в микроэлектронике.

    Кремний на сапфире (SOS): технология производства МОП-интегральных схем. Тонкий слой кремния на сапфире – отличный изолятор, устойчивый к радиации.

    #140910 · 2 мин чтения

  14. Реактивное ионное травление: метод микрофабрикации.

    Реактивное ионное травление (RIE): точная микрофабрикация, удаление материалов с пластин плазмой в вакууме. Сухая гравировка для электроники.

    #141393 · 3 мин чтения

  15. Подготовка пластин к разделению на кристалы

    Подготовка кристалла: монтаж и резка пластин в производстве полупроводников. Важный этап перед упаковкой и тестированием микросхем. 🚀

    #175004 · 1 мин чтения

  16. Сухое травление в микроэлектронике: принципы и применение.

    Сухое травление: удаление материала ионами плазмы без жидкостей. Анизотропная обработка, создание структур с высоким соотношением сторон в микроэлектронике.

    #182350 · 2 мин чтения

  17. Метод Бриджмена-Стокбаргера: выращивание монокристаллов и направленная кристаллизация.

    Метод Бриджмена-Стокбаргера: выращивание монокристаллов из расплава. Техника для получения слитков, медленное охлаждение, затравка и вращение тигля.

    #188112 · 2 мин чтения

  18. Поверхностное микромеханическое изготовление: технология и применение.

    Микромеханическая обработка поверхностей: создание микроструктур методами осаждения и травления. Поликремний, диоксид кремния, толщина слоев 2-5 мкм.

    #198661 · 2 мин чтения

  19. Химико-механическая полировка полупроводниковых пластин.

    Химико-механическая полировка (CMP) – технология шлифовки полупроводниковых пластин, ключевой этап в производстве микросхем. Обеспечивает плоскостность и качество.

    #199161 · 5 мин чтения

  20. Производство полупроводников: Процесс и технологии

    Изготовление полупроводников: процесс создания микросхем, от проектирования электрических цепей до производства на кремниевых пластинах. RF-усилители, LED и др.

    #215774 · 3 мин чтения

  21. Влажный слой при эпитаксиальном росте квантовых точек: влияние на свойства и структуру.

    Эпитаксиальный смачивающий слой: основа для выращивания квантовых точек (InAs на GaAs). Описываем формирование при несоответствии решёток и свойствах.

    #224384 · 1 мин чтения

  22. Сопротивление тонкой пленки: метод измерения и единицы измерения

    Узнайте об измерении поверхностного сопротивления тонких плёнок! Метод для оценки электропроводности материалов в полупроводниках, металлах и гибридных схемах.

    #226885 · 3 мин чтения

  23. Эпитаксиальные пластины: технологии и применение.

    Эпитаксиальные пластины (эпиваферы): производство, применение в микроэлектронике, фотонике и спинтронике. Методы CVD, MOCVD, MBE. Улучшение характеристик кремния.

    #269921 · 3 мин чтения

  24. SMIF-контейнеры: Изоляция полупроводниковых пластин в контролируемой среде.

    SMIF – стандартизированный контейнер для пластин в микроэлектронике. Разработан Hewlett Packard в 80-х, обеспечивает чистоту и защиту при производстве полупроводников.

    #270008 · 2 мин чтения

  25. Интеграция на основе цельных кремниевых пластин (Wafer Scale Integration)

    Интеграция на пластинах (WSI): создание сверхбольших микросхем из цельных кремниевых пластин для снижения стоимости и повышения производительности, особенно в машинном обучении.

    #276440 · 5 мин чтения

  26. Новые фотолитографические технологии и перспективы развития

    Новые фотолитографические методы для производства микросхем: NGL, EUV, наноимпринт. Уменьшение размеров чипов и повышение разрешения. Будущее полупроводников.

    #285395 · 5 мин чтения

  27. Быстрый термический отжиг полупроводниковых пластин

    Быстрый термический отжиг (RTP) полупроводников: нагрев пластин до 1000°C за секунды. Активация легирующих добавок, контроль температуры, применение в производстве чипов.

    #286316 · 2 мин чтения

  28. Силициды: состав, свойства и применение в микроэлектронике.

    Силициды: химические соединения кремния и электроположительных элементов. Свойства, структура, получение. Информация о силикатах и их отличиях.

    #288359 · 1 мин чтения

  29. Фоторезисты в производстве полупроводников: состав, применение и методы литографии.

    Фоторезисты в микроэлектронике: создание шаблонов для производства полупроводников. Литография, полимеры, защита подложки – ключевые аспекты.

    #296932 · 2 мин чтения

  30. Фотолитографическое оборудование: от степперов к сканерам.

    Сте́ппер для фотолитогра́фии: ключево́й прибо́р в производстве интегра́льных схем (IC). Создаёт микроскопи́ческие элеме́нты на кремниевых пласти́нах.

    #297583 · 13 мин чтения

  31. Нанесение тонких пленок методом спин-коутинга: принципы и применение.

    Нанесение тонких плёнок методом спин-коутинга: принцип работы, оборудование (спин-коатер), скорость вращения и получение равномерного покрытия.

    #310746 · 2 мин чтения

  32. Плавучая зонная технология выращивания кремния высокой чистоты

    Высокочистый кремний плавающей зоны: технология получения, преимущества и применение. Отсутствие загрязнений, низкое содержание кислорода и углерода.

    #313602 · 2 мин чтения

  33. Разложение в паровой фазе для повышения чувствительности анализа полупроводниковых материалов.

    Разложение паров (VPD) повышает чувствительность рентгенофлуоресцентного анализа (TXRF) за счет изменения формы загрязнений. Улучшение пределов обнаружения!

    #313950 · 1 мин чтения

  34. Metalorganic vapour-phase epitaxy

    #348754 · 5 мин чтения

  35. Cathodic arc deposition

    #352447 · 4 мин чтения

  36. Ионное покрытие твердых поверхностей

    Ионное покрытие: технология PVD для нанесения прочных и функциональных покрытий. Очистка, модификация свойств, контроль качества пленки ионами.

    #367536 · 1 мин чтения

  37. Микрофабрикация: Технологии создания микро- и наноустройств.

    Микрофабрикация: создание миниатюрных структур от микрометров и меньше. MEMS, NEMS, микрофлюидика, оптика, солнечные элементы и др. – методы и вызовы.

    #371763 · 5 мин чтения

  38. Оптическая коррекция близости расположения в фотолитографии

    Оптическая коррекция близости (OPC) – технология улучшения фотолитографии для компенсации искажений при создании полупроводников. Повышает точность!

    #373543 · 6 мин чтения

  39. Технологии повышения разрешения в фотолитографии интегральных схем.

    Улучшение разрешения в фотолитографии: технологии для создания микросхем с элементами 5 нм и ниже. Преодоление оптических ограничений в производстве чипов.

    #387150 · 6 мин чтения

  40. Атомно-слоевое осаждение: технология наноструктурных пленок.

    Атомно-слоевое эпитаксия (ALE/ALD): точное нанесение тонких плёнок, монослой за слоем. Высокая однородность, выравнивание по структуре подложки. 🚀🔬

    #394276 · 2 мин чтения

  41. Химическое эпитаксия из газовой фазы (CBE) и ее особенности.

    Эпитаксия пучками молекул (CBE): метод нанесения полупроводниковых слоев, особенно III-V соединений. Ультравысокий вакуум, металлоорганические газы.

    #394288 · 4 мин чтения

  42. Скульптурные тонкие пленки: структура, свойства и применения.

    Тонкие скульптурные пленки (STF): наноструктурированные материалы с контролируемыми свойствами, созданные методом физического осаждения из паровой фазы. 🔬✨

    #395123 · 1 мин чтения

  43. Атомно-слоевое осаждение: метод получения тонких плёнок

    Атомно-слоевое осаждение (ALD): точное нанесение тонких плёнок по одному атомному слою. Ключевая технология в производстве полупроводников и наноматериалов.

    #395358 · 10 мин чтения

  44. Плазменная обработка в производстве интегральных схем.

    Плазменная травление: технология для производства интегральных схем. Создание микросхем с помощью плазмы, ионы и нейтральные атомы, изменение свойств материалов.

    #431235 · 3 мин чтения

  45. Контейнеры FOUP для транспортировки и хранения кремниевых пластин

    FOUP – пластиковые контейнеры для безопасной транспортировки и хранения кремниевых пластин. Стандарт SEMI для 300мм wafer processing. Замена SMIF-pod.

    #446483 · 2 мин чтения

  46. Эпитаксия гидридов из газовой фазы: технология выращивания полупроводников III–V и III–N.

    Эпитаксия гидридами (HVPE): выращивание GaN, GaAs, InP и др. полупроводников. Снижение стоимости производства по сравнению с MOCVD благодаря высокой скорости роста.

    #452574 · 2 мин чтения

  47. Фторсиликатное стекло и керамика: свойства и применение

    Фторсиликатное стекло (FSG): свойства, применение в полупроводниковом производстве. Диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью для микросхем.

    #454273 · 1 мин чтения

  48. Process (engineering)

    #459103 · 2 мин чтения

  49. Electron-beam physical vapor deposition

    #484061 · 7 мин чтения

  50. Micromy

    #487544 · 1 мин чтения

  51. Tantalum nitride

    #491584 · 1 мин чтения