Полупроводниктер өндірісі
-
Химикалық булы тарту әдісі
Химикалық буланып тұну (CVD) әдісі – жартылай өткізгіштерде сапалы қабаттар жасауға арналған вакуумдық технология. Материалдарды жабу, микроөндіріс үшін қолданылады.
-
Жарымөткіштер өндірісінде плазмамен күйдіру процесі
Жарымөткіш өндірісінде плазмамен күйдіру – фоторезистті (жарыққа сезімтал қабат) алып тастау процесі. Отантек газ, оттегі немесе фтор қолданылады.
-
Микрофабрикация және жартылай өткізгіш өндірісінде фотолитография процесі
Фотолитография – интегралды схемалар өндірісіндегі микрофабрикация процесі. Жарық көмегімен суреттер кремний пластинаға түсіріледі. Фоторезист қолданылады.
-
Жапырақша: Интегралдық схемалар өндірісіндегі жартылай өткізгіштік материалдар
Жартылайөткізгіштен жасалған, микросхемалар өндірісінде қолданылатын жұқа кесек – wafer туралы толық ақпарат. Технология, өндіріс процестері.
-
Қоймалы аймақтан тазарту әдісі
Айналмалы зона балқыту әдісі – металл таяқшаларды тазарту технологиясы. Жартылай өткіштерді, кристаллдарды залалсыздандыруға қолданылады. Биік тазалықты қамтамасыз етеді.
-
Цзохральски әдісімен кристал өсіру
Жартылай өткізгіштер, металдар мен зергерлік тастарды өсіру үшін қолданылатын Чохральски әдісі туралы ақпарат. Силиций кристалдарын алу технологиясы.
-
Нанокристалды кремний: қасиеттері мен қолданылуы
Нанокристалды кремний (nc Si) – кеуекті кремнийдің түрі. Аморфты және кристалдық фазалардан тұрады, күн батареяларында тиімді қолданылады.
-
Жұқа пленкалық транзисторлар және TFT технологиясы
Жұқа пленкалық транзисторлар (TFT) технологиясы: шығарылуы, қолданылуы (LCD дисплейлерде). Жартылай өткізгіш материалдар мен ерекшеліктері туралы ақпарат.
-
Субстратқа қатысты кристалл өсу процесі
Эпитаксия: кристалдық өсу, қабаттардың негізге сәйкес бағытталуы. Эпитаксиялық қабаттардың құрылымы, кристалдық реттілік және маңызы туралы ақпарат.
-
Молекулалық сәулелі эпитаксия процесі
Жұқа пленкалы кристалл өсіру: Молекулалық сәулелі эпитаксия (MBE) технологиясы, транзисторлар, лазерлер жасауда қолданылады. Нанотехнологияның негізі.
-
Фотолитографиялық маскалар және олардың даму тарихы
Фотолитография, фотошаблон, интегралды схемалар (чиптер) өндірісінде қолданылады. Шаблон жиынтығы, қисық сызықты шаблон туралы біліңіз. Жартылай өткізгіш өндіріс.
-
Линза мен микрочип арасындағы су қабаты: Иммерсиялық литография техникасы
Жарымөткішгіш өндірісіндегі иммерсиялық литография – оптикалық линза мен микрочип арасына су қосып, шешімді арттыру технологиясы. Нақтылық пен рұқсатты жақсартады.
-
Сапфир үстіндегі кремний өндіріс процесі
Сапфирдегі кремний (SOS) технологиясы – металл-оксид-жартылайөткішті интегралды схемалар өндірісінде қолданылатын изолятор. Радиациядан қорғайды.
-
Реактивтік иондық қабылдау: Микроөндірістегі материалды алып тастау әдісі
Реактивті иондық гравировка (RIE): микроөндірісте дәл материалды алып тастау технологиясы. Плазма, вакуум, және иондардың бетке әсері туралы біліңіз.
-
Жапырақшаны дайындау және кесу процесі
Жартылай өткізгіш құрылғыларды дайындауда пластинаны IC қаптамасы мен сынағына дайындау, пластинаны орнату және кесу кезеңдері қарастырылады.
-
Құрғақ кесу технологиясы: Жартылай өткізгіштерді өңдеу әдісі
Кеуекті құрғақ тегістеу (dry etching) – жартылай өткізгіш материалды плазма арқылы абразивті бөлшектермен жою. Анизотропты тегістеуге мүмкіндік береді.
-
Бриджмен-Штокбаргер әдісі: кристал өсіру технологиясы
Бриджмен-Штокбаргер әдісі: бір кристалл өсіру, қойма кристалдарын қаттау. Жоғары температурадан баяу салқындату арқылы сапалы материал алу тәсілі.
-
Беттік микроөңдеу технологиясы: қабаттармен құрылым жасау
Беттік микроөңдеу – жартылай өткізгіш қабаттарды қалыптастыру арқылы микроқұрылымдар жасау. Полисилиций, кремний диоксиді қолданылады.
-
Жарымөткіштер өндірісіндегі химиялық-механикалық жылтырату техникасы
Жартылай өткізгіш өндірісіндегі CMP жылтырату технологиясы: химиялық және механикалық әсерлер арқылы беттерді тегістеу, микросхема жасауда маңызды.
-
Жартылайөткізгіштерді өндіру технологиясы
Жартылай өткізгіштерді жасау процесі: электрондық схемалар, RF күшейткіштер, LED-тер өндірісі. Дизайннан бастап құрылымға дейін толық ақпарат!
-
Төселгі қабаты және кванттық нүктенің өсуі
Жұқа пленкалардағы «ылғалды қабат» – кристалдық негізге жабысқан атомдардың монослойы. Кванттық нүктелер өсуіне негіз болады. Эпитаксия, GaAs, InAs.
-
Жұқа пленканың электр кедергісі
Жұқа пленканың кедергісі: беттік кедергі, қабаттық кедергі, төрт нүктелі зондты өлшеу, жартылай өткішгіштер, металл жабыну, шыны қаптама сипаттамасы.
-
Эпитаксиялық пластиналар: өндіріс әдістері мен қолданылуы
Эпитаксиялық пластиналар: фотоника, микроэлектроника үшін жартылай өткізгіш материал. Өсіру әдістері, қасиеттері, қолданылуы туралы толық ақпарат.
-
Жарымөткіш тілімдерді тасымалдауға арналған SMIF контейнері
SMIF – жартылай өткізгіш пластиналарды тасымалдауға арналған стандарттық интерфейс. 1980-жылдары Hewlett Packard ұжымымен жасалған, SEMI стандарты.
-
Көлемді интегралдық схемалар жүйесі
Үлкен интегралдық схемалар: Wafer-scale интеграция (WSI) технологиясы – бірнеше чиптің бірлесіп жұмыс істеуі, өнімділік пен тиімділікті арттыру жолы.
-
Жаңа буын фотолитографиялық технологиялар
Жаңа буын фотолитографиясы: микросхема өндірісіндегі технологиялар, Moore заңы, жарық толқынының ұзындығы, наножазу, шешімділікті арттыру.
-
Жылдам термиялық өңдеу: Жартылай өткізгіштерді өңдеу технологиясы
Жылдам термиялық өңдеу (RTP) – жартылай өткізгіштерді секундтарда 1000°C-тан жоғары температураға дейін қыздыру. Температураны бақылау маңызды!
-
Кремний және металл қосылыстары
Силицидтер – кремний және басқа элементтердің қосылысы. Қасиеттері бойынша боридтерге жақын, бірақ құрылымы бөлек. Тікелей қосылу арқылы жасалады.
-
Жарымөткішгіш өндірісіндегі фоторезист технологиясы
Жартылай өткізгіш өндірісінде резист – схеманы субстратқа түсіруге арналған қабат. Литография арқылы өңдеуге, қорғауға қолданылады. Фоторезисттер туралы толық ақпарат!
-
Фотолитографиялық жабдықтар және интегралдық схемалар өндірісінің эволюциясы
Интегралды схемалар өндірісінде қолданылатын фотолитографиялық құрал – степпер туралы ақпарат. Микрочиптер жасаудағы маңызды ролі, жұмыс принципі.
-
Жұқа пленкаларды спин жағу әдісі
Жұқа пленкалар жасау үшін қолданылатын spin coating әдісі туралы ақпарат. Бұл әдіс центрифуга күші арқылы жабынды таратуға көмектеседі. Spin coater туралы да біліңіз.
-
Жағалау аймағында өсірілген кремний кристалдары
Жоғары таза кремний: Float zone әдісімен өндіріледі, ластанусыз өсуге мүмкіндік береді. Czochralski әдісінен артықшылығы – төмен көміртек, оттегі мөлшері.
-
Жар фазалық ыдырау арқылы жартылай өткізгіштердегі из элементтерді анықтау
Жар фазалық ыдырау (VPD) әдісі TXRF сезімталдығын арттырады. Ластанушы заттарды ұсақ түйіршіктерге айналдыру арқылы анықтау шегі жақсартылады. AAS-тан өзгеше.
-
Metalorganic vapour-phase epitaxy
-
Cathodic arc deposition
-
Иондық жабын технологиясы
Иондық қаптау: беттерді иондармен жабу әдісі. PVD процесі, тазалау, қабат қалыптастыру, қасиеттерін жақсарту. Жаңа технология туралы біліңіз!
-
Микрометрлік масштабта құрылымдар жасау өнері
Микрометрлік және нанометрлік құрылғыларды жасау технологиясы: микроэлектроника, MEMS, оптика, биомедицина салаларындағы қолданысы. Жаңа технологиялар мен міндеттер.
-
Фотолитографияны жақсарту техникасы: Оптикалық жақындық түзету (OPC)
Фотолитографияны жетілдіру: OPC техникасы жарық дифракциясынан туындаған қателерді түзетеді. Жартылай өткішгіш құрылғылар өндірісінде маңызды, суретті дәлдікпен бейнелеуге көмектеседі.
-
Интегралдық схемалар фотолитографиясындағы ажыратымдылықты арттыру технологиялары
Интегралды схемалар фотолитографиясы: Жарық шешімін арттыру технологиялары, 5 нм-ге дейін нақты элементтер жасау, кремний пластиналарға схемалар түсіру.
-
Атомдық қабатты эпитаксия: Наноқабықтарды өсіру технологиясы
Атомдық қабатты эпитаксия (ALE/ALD) – жұқа пленка өсірудің ерекше түрі. Бұл әдіс екі элементтің қабаттарын тікелей өсіріп, біртекті, жақсы құрылымдалған кристалл торларын жасауға мүмкіндік береді.
-
Жартылай өткізгіштерді шоғырландыру: Химиялық сәулелі эпитаксия
Жартылайөткішгіш қабаттарды жасау үшін химиялық сәулелі эпитаксия (CBE) әдісі қолданылады. III-V жүйелері үшін өте тиімді, вакуумда өтеді.
-
Жұқа пленкалардың құрылымдық ерекшеліктері мен қолданылуы
Жұқа пленкалар (STF) – физикалық булану арқылы жасалатын, қасиеттері бағытталған наноқұрылымды материалдар. Диаметрі 10-300нм, кристаллистігі жоғары.
-
Атомдық қабатпен жабындау технологиясы
Атомдық қабаттап жабу (ALD) – нано материалдарды жасау және жартылай өткізгіш құрылғыларын өндіруде қолданылатын жұқа пленка жабу технологиясы.
-
Плазмалық кесу: Интегралдық схемалар өндірісіндегі технология
Плазмалық кесу: интегралдық схемалар өндірісінде қолданылатын технология. Газ қоспасымен материалды өңдеу, физикалық қасиеттерін өзгерту.
-
Жарымұқапты кремний пластиналарды сақтау және тасымалдауға арналған контейнерлер
Жартылай өткізгіш пластиналарды сақтауға арналған FOUP контейнерлері туралы ақпарат. Стандарттар, қасиеттері, SMIF-тен айырмашылығы. Технология жаңалықтары.
-
Газ фазалық эпитаксия: GaN, GaAs және басқа жартылай өткізгіштерді өндіру технологиясы
Жұқа пленкалы өсіру HVPE технологиясы: GaN, GaAs сияқты жартылай өткізгіштерді өндіру, төмен құн, жоғары өсу жылдамдығы, MOCVD-ге балама.
-
Фторсиликатты шыны және керамика: қасиеттері мен қолданылуы
Фторсиликатты шыны – кремний, фтор және оттектен тұратын материал. Жартылай өткізгіш өндірісінде диэлектрик ретінде, сондай-ақ микросхемаларда қолданылады.
-
Process (engineering)
-
Electron-beam physical vapor deposition
-
Micromy
-
Tantalum nitride